Samsung Electronics ar fi dezvoltat un prototip de V-NAND cu 900 de straturi, un tip de memorie flash verticală de ultimă generație, conform informațiilor venite din partea insiderului Ice Universe și a presei de profil. Dacă se confirmă oficial, acesta ar fi un pas important către pragul de 1.000 de straturi, mult timp considerat un obiectiv cheie pentru industria NAND.
Prototipul ar fi fost construit nu prin simpla stivuire a straturilor pe un singur cip, ci prin combinarea a două blocuri de 450 de straturi cu ajutorul tehnologiei CMB (Cell-on-Cell – lipire multistrat). Această metodă mărește numărul de straturi și densitatea de stocare, în timp ce ocolește unele dintre obstacolele tehnologice întâmpinate la extinderea verticală a NAND-ului.
Pentru Samsung, această demonstrație este importantă mai ales în contextul cererii tot mai mari de stocare în servere, infrastructură AI, PC-uri și dispozitive mobile. Compania produce deja V-NAND de generația a 9-a: în 2024 a anunțat producția de masă a memoriei TLC V-NAND de 1 terabit, urmată de QLC V-NAND de generația a 9-a pentru aplicații AI.
Prototipul cu 900 de straturi nu înseamnă că SSD-urile pentru consumatori cu această memorie sunt iminente. Între dezvoltarea în laborator și producția de masă există provocări precum randamentul, costul, fiabilitatea, consumul de energie și compatibilitatea cu controlerele viitoare. Totuși, validarea cu succes a acestei structuri arată că Samsung continuă pe drumul către capacități mult mai mari, fără a crește proporțional dimensiunea cipului.
Dacă tehnologia ajunge la producția de volum, ar putea sta la baza unor SSD-uri cu capacități considerabil mai mari, de la unități de consum la soluții enterprise pentru centre de date. Pe fondul competiției cu SK hynix, Micron, YMTC și alții, este crucial pentru Samsung nu doar să își mențină lideratul în NAND, ci și să demonstreze că poate fi primul care se apropie de următoarea generație de memorie flash ultra-densă.