Insiderul Jukan a relatat că Samsung Electronics pregătește producția de masă a DRAM de generația a șaptea în clasa 10 nm, cunoscută mai ales ca 1d DRAM. Potrivit lui, compania lucrează deja cu mai mulți parteneri la echipamentele pentru noul proces și se așteaptă să înceapă introducerea lor în al doilea trimestru al anului viitor.
1d DRAM se referă la memorie cu lățimi ale liniilor de aproximativ 10–11 nm. Prin comparație, actuala 1c DRAM de generația a șasea este estimată la circa 11–12 nm. Cu cât această valoare scade, cu atât cresc potențialul de performanță și eficiența energetică a memoriei. Pe fondul cererii tot mai mari din partea serverelor, acceleratoarelor AI și HBM, chiar și această diferență devine importantă.
Samsung efectuează deja evaluări interne, inclusiv cu mostre timpurii de 1d DRAM. Anterior au apărut presupuneri că firma ar putea trece la producția de masă chiar anul acesta, dar surse din industrie consideră acest scenariu puțin probabil. Motivul este simplu: echipamentele-cheie pentru 1d DRAM par să fie încă în dezvoltare.
Potrivit insiderului, Samsung discută acum cu partenerii despre introducerea echipamentelor de producție în al doilea trimestru al anului viitor. Ținând cont de timpul necesar pentru reglarea liniilor și pregătirea producției, startul real al producției de masă ar putea avea loc cel mai devreme la sfârșitul anului viitor. Un calendar mai clar este așteptat spre finalul acestui an.
Surse din industrie spun că Samsung lucrează activ la stabilizarea randamentului și a caracteristicilor 1d DRAM. Pentru companie, aceasta nu este doar o nouă micșorare a procesului, ci o parte importantă a strategiei viitoare în memoria pentru inteligență artificială.
1d DRAM ar urma să devină cipul de bază pentru HBM5E, a noua generație de memorie cu lățime mare de bandă, a cărei comercializare este prognozată pentru 2029. Dacă Samsung va lansa noul proces la timp, își poate întări poziția în cursa cu SK Hynix și Micron.