Samsung a prezentat mai multe tehnologii de memorie și stocare de nouă generație la evenimentul Future of Memory and Storage din Santa Clara. Cele mai multe sunt destinate centrelor de date, acceleratoarelor de inteligență artificială și sistemelor edge computing.
Una dintre principalele noutăți este conceptul zHBM. În această arhitectură, memoria HBM este plasată direct deasupra acceleratorului AI, nu lângă acesta. Potrivit estimărilor Samsung, configurația ar putea oferi performanțe de până la opt ori mai mari decât soluțiile tradiționale. Pentru fabricarea zHBM, compania intenționează să folosească o tehnologie de lipire a plachetelor de nouă generație. Aceasta ar trebui să asigure o densitate de peste zece ori mai mare decât HBM5 și să tripleze eficiența energetică.
Samsung a prezentat și V10 BV-NAND, un nou tip de memorie flash verticală pentru SSD-uri, carduri de memorie și alte dispozitive de stocare. Arhitectura Bonding V-NAND poate reuni peste 400 de straturi de celule, crescând densitatea cu aproximativ 58% față de generația V9. Compania anunță și viteze mai mari de citire, scriere și operații de intrare-ieșire.
O altă dezvoltare este zNAND-O, care combină utilizarea eficientă a spațiului, latența redusă și performanțe de intrare-ieșire îmbunătățite. Soluția este orientată în primul rând către sistemele AI edge.
Compania a demonstrat și LPDDR5X-PIM, prima sa memorie LPDDR5X cu procesare integrată a datelor. O parte dintre calcule poate fi executată direct în memorie, reducând transferurile de informații între componente și sporind eficiența generală a sistemului.