Detalii despre Snapdragon 8 Elite Gen 6: proces 2 nm TSMC N2P, memorie LPDDR6 și UFS 5.0 pentru AI mai rapidă, eficiență sporită și posibile scumpiri în 2026.
© D. Novikov
Au apărut detalii noi despre viitorul procesor de top al Qualcomm, Snapdragon 8 Elite Gen 6. Zvonurile indică un proces de fabricație pe 2 nm și suport pentru memorie LPDDR6 alături de stocare UFS 5.0; platforma se conturează să aducă atât un plus de performanță, cât și eficiență energetică – exact cele două repere care contează în următorul val de funcții centrate pe AI.
Datorită acestor upgrade-uri la memorie și stocare, Snapdragon 8 Elite Gen 6 ar urma să fie mai bine pregătit pentru sarcini de tip AI. LPDDR6 ar livra o lățime de bandă și mai mare, iar UFS 5.0 promite acces și viteze de scriere sporite, ajutând dispozitivele să treacă mai ușor prin calcule solicitante. Privite laolaltă, indiciile trimit spre experiențe AI rulate pe dispozitiv mai fluide – o direcție firească în contextul actual.
Potrivit lui Digital Chat Station, Qualcomm intenționează să producă acest cip pe procesul N2P de 2 nm al TSMC. Acest nod ar putea crește performanța cu aproximativ 18% sau ar putea reduce consumul de energie cu circa 36% comparativ cu generația pe 3 nm. În același timp, o parte a comunității de experți consideră că adoptarea noului nod de către Qualcomm poate să nu fie posibilă înainte de 2026 – un calendar care, privit în contextul industriei, pare realist.
Analiștii mai anticipează că trecerea la un proces mai avansat și adoptarea standardelor de memorie de ultimă generație vor ridica costurile de producție. Dacă se confirmă, smartphone-urile fanion ale următoarei generații ar putea deveni mai scumpe, cu modelele premium resimțind primele impactul – deloc surprinzător pentru segmentul high-end.
Așteptat spre finele lui 2026, Snapdragon 8 Elite Gen 6 se poziționează drept unul dintre cipurile-cheie ale erei AI pe mobil.