Danny Weber
12:06 30-12-2025
© A. Krivonosov
Samsung satsar på 2 nm GAA i Taylor, Texas med EUV och lyfter kapaciteten. Exynos 2600 och Tesla AI6 på väg. Målet: minska gapet till TSMC i globala chipracet.
Samsung tar sats för att stärka sin position i det globala chipracet genom en bred omställning av sin amerikanska tillverkningsstrategi. Bolaget överger planerna på en 4 nm-process till förmån för en mer avancerad 2 nm GAA-nod, ett skifte som kan minska avståndet till TSMC, branschens nuvarande ledare. Navet i planen är fabriken i Taylor, Texas, som redan är utrustad med EUV-litografi för högdensitetsdesigner.
Anläggningen var från början tänkt för 4 nm, men kursen är nu omdragen. Samsung prioriterar serieproduktion av 2 nm-kretsar trots tekniska hinder. Samtidigt skruvas kapaciteten upp – från initialt 20 000 till 50 000 kiselplattor per månad – med möjlighet att nå 100 000. Det skulle göra Texas-anläggningen till ett av företagets centrala tillverkningsnav.
Först ut på den nya noden väntas Exynos 2600. De första utbytessiffrorna var inte särskilt höga, men de har förbättrats och gör satsningen allt mer gångbar. Parallellt skyndar Samsung på nästa iteration, SF2P+, som kan dyka upp inom ett par år. Greppet kan läsas som ett försök att hoppa över ett mellanläge och möta rivalerna i den tekniska framkanten.
Farten hålls också uppe av ett större avtal med Tesla värt omkring 16,5 miljarder dollar: Samsung ska tillverka AI6-kretsar för system för autonom körning. Det finns dessutom beställningar från kinesiska aktörer inom kryptohårdvara, även om vissa av dessa kontrakt sannolikt kommer att fullgöras utanför USA.
Tillsammans pekar stegen på att Samsung inte bara siktar på att komma ikapp TSMC utan att mäta sig direkt inom avancerad processteknik. Om tempot står sig kan den amerikanska anläggningen bli en hörnsten i bolagets globala strategi och förskjuta balansen i halvledarvärlden under de kommande åren.