Danny Weber
Samsung anpassar HBM-minne för mobila enheter med ny vertikal staplingsdesign. Kan ge upp till 30% högre dataöverföringshastigheter för AI-bearbetning på enheten.
Samsung utvecklar en ny minnesteknik för smartphones och surfplattor som kan ge AI-prestandan en rejäl skjuts på enheten. Fokus ligger på höghastighets-HBM-minne, som i dagsläget främst används i servrar och kraftfulla AI-acceleratorer.
Enligt en färsk rapport anpassar Samsung HBM specifikt för mobila enheter. Anledningen är att traditionella varianter kräver för mycket utrymme, kylning och ström. Företaget planerar att använda avancerad paketering med FOWLP (Fan-Out Wafer Level Packaging), en teknik som redan tillämpas i moderna mobilprocessorher.
Den stora utmaningen är att erbjuda hög minnesbandbredd utan att temperaturen eller strömförbrukningen ökar kritiskt. För att lösa detta utvecklar Samsung en ny vertikal staplingsdesign med ultratunna kopparpelare. Enligt källor har företaget ökat anslutningstätheten rejält, vilket gör att dataöverföringshastigheterna kan förbättras med cirka 30 procent.
HBM-tekniken kan påtagligt snabba upp lokal AI-bearbetning på smartphones – från bildgenerering och röstassistenter till komplexa video- och textfunktioner – allt utan att vara beroende av molnservrar.
Rykten tyder på att den första Samsung-plattformen med detta minne kan bli den kommande Exynos 2800 eller senare Exynos 2900. Även Apple och Huawei uppges utforska liknande teknik.
Massutbredd användning av HBM i smartphones är dock fortfarande en kostsam historia. Priserna på mobilt DRAM fortsätter att stiga, så tillverkarna lär vara försiktiga med att integrera sådana komponenter i konsumentprodukter.
© RusPhotoBank