Samsung och 1d DRAM: nästa minnesrace börjar ta form

Insidern Jukan uppgav att Samsung Electronics förbereder massproduktion av sjunde generationens DRAM i 10 nm-klassen, mer känt som 1d DRAM. Enligt honom arbetar företaget redan med flera partner kring utrustning för den nya processen och räknar med att börja införa den under andra kvartalet nästa år.

1d DRAM avser minne med linjebredder på ungefär 10–11 nm. Som jämförelse uppskattas dagens sjätte generationens 1c DRAM till omkring 11–12 nm. Ju lägre den siffran blir, desto större blir den potentiella prestandan och energieffektiviteten. Med växande efterfrågan från servrar, AI-acceleratorer och HBM spelar även en sådan skillnad roll.

Samsung genomför redan interna utvärderingar, inklusive tidiga prover av 1d DRAM. Tidigare fanns uppgifter om att företaget kunde gå över till massproduktion redan i år, men branschkällor ser det som osannolikt. Skälet är enkelt: nyckelutrustningen för 1d DRAM verkar fortfarande vara under utveckling.

Enligt insidern diskuterar Samsung nu med partner om att ta in produktionsutrustning under andra kvartalet nästa år. Med tiden som krävs för att trimma linjerna och förbereda tillverkningen kan den verkliga starten för massproduktion komma tidigast i slutet av nästa år. En tydligare tidsplan väntas mot slutet av detta år.

Branschkällor säger att Samsung aktivt arbetar med att stabilisera utbytet och egenskaperna hos 1d DRAM. För företaget handlar det inte bara om ännu en processkrympning, utan om en viktig del av den framtida strategin för minne till artificiell intelligens.

1d DRAM väntas bli baskretsen för HBM5E, den nionde generationen high-bandwidth memory, som väntas kommersialiseras 2029. Om Samsung får igång den nya processen i tid kan det stärka företagets position i minnesracet mot SK Hynix och Micron.