Danny Weber
AI-datacenter tar en allt större del av HBM- och DRAM-kapaciteten och pressar ut vanliga minnesprodukter.
SK hynix vd Kwak Noh-Jung varnar för att den globala minnesmarknaden kan möta den värsta bristen i sin historia under 2027. Enligt honom kommer efterfrågan på DRAM, inklusive högpresterande HBM för AI-infrastruktur, samt NAND att överstiga den tillgängliga produktionskapaciteten inte bara nästa år utan även längre fram — åtminstone till början av nästa decennium.
Det största trycket kommer från den snabbt växande efterfrågan från datacenter. Stora kunder tecknar fleråriga leveransavtal, samtidigt som tillverkarna i allt högre grad prioriterar dyrare och mer lönsamma produkter: HBM för AI-acceleratorer, LPDDR5X för flaggskeppsenheter och serverlösningar. Därmed får vanlig DDR5, DDR4 och billigare mobil LPDDR mindre produktionskapacitet.
Samsung och Micron har gjort liknande bedömningar. Samsung har varnat för att läget kan bli ännu tuffare 2027 eftersom tillverkarna inte kan bygga ut produktionen tillräckligt snabbt. Micron anser också att bristen fortfarande befinner sig i ett tidigt skede och att bolaget bara kan täcka omkring 50–66 procent av kundernas efterfrågan på minne.
För SK hynix, Samsung och Micron är situationen lönsam, men den blir allt mer smärtsam för resten av marknaden. Den stora efterfrågan på premiumminne ökar tillverkarnas vinster, medan konsumentsegmentet möter kraftiga prisökningar. De högre kostnaderna påverkar redan datorer, smartphones, spelkonsoler och andra enheter där minne utgör en betydande del av materialkostnaden.
Kinesiska minnestillverkare bygger ut kapaciteten snabbare under bristen, däribland CXMT inom DRAM och YMTC inom NAND, främst för att möta den inhemska efterfrågan. SK hynix planerar också en flerårig produktionsutbyggnad och investerar i nya anläggningar i Sydkorea och USA. Inte ens stora investeringar kommer dock att snabbt få utbud och efterfrågan i balans.
© A. Krivonosov