Danny Weber
16:37 17-10-2025
© RusPhotoBank
Samsung säkrar 50 % utbyte för HBM4 på 1c‑DRAM, köper ASML:s High‑NA EUV och ökar kapaciteten för HBM4/HBM4E. Analytiker ser hårdnande race mot SK hynix.
Enligt TweakTown har Samsung nått 50 procents utbyte för HBM4 byggd på 1c‑DRAM och skalar nu upp kapaciteten för volymproduktion av HBM4 och HBM4E. Källor uppger att bolaget har köpt fem av ASML:s senaste High‑NA EUV‑litografisystem: två avsedda för foundry‑verksamheten och tre öronmärkta enbart för minne — en fördelning som tydligt pekar på en medveten satsning på HBM.
Branschkännare bedömer att Samsung i praktiken sätter upp en ren minneslinje, ett steg som kan påskynda massproduktionen av HBM4 och samtidigt bana väg för kommande HBM4E och HBM5. DRAM‑verksamheten i fabriken i Pyeongtaek producerar i nuläget omkring 300 000 kiselplattor per månad och ligger nära kapacitetstaket. Vissa av de nya verktygen kan styras om till anläggningen i Taylor, Texas om extra beställningar kommer från nyckelkunder i Nordamerika, vilket håller upptrappningen flexibel.
Samtidigt ligger huvudrivalen SK hynix fortfarande före och levererar HBM3 och HBM3E till NVIDIAs Blackwell‑GPU:er. Analytiker menar att Samsungs uppväxlade HBM‑satsning oundvikligen skruvar upp konkurrensen på marknaden för högprestandaminne och bäddar för en tajtare kapplöpning.