Samsung förbättrar utbytet för 2-nanometerprocessen

Samsung fortsätter att göra stora framsteg med sin avancerade 2-nanometerprocess, som bygger på Gate-All-Around-transistortekniken. Enligt senaste rapporter har utbytet för denna process nu nått cirka 60 procent, vilket är en märkbar förbättring jämfört med 50 procent i januari. Utvecklingen är ännu mer imponerande om man ser till andra halvåret 2025, då utbytet låg på bara 20 procent – en mer än trefaldig ökning.

Samtidigt står Samsung inför utmaningar med sin egen Exynos 2600-chip. Utbytet för denna krets har fortfarande inte passerat 50 procent, även om siffran ändå innebär ett stort steg framåt från de tidiga produktionsfaserna. Det är värt att notera att Samsung normalt inte offentliggör exakta utbytesdata för sina tillverkningsprocesser, så dessa uppgifter kommer från branschkällor.

En viktig drivkraft bakom de förbättrade utbytena har varit nya kundbeställningar, bland annat från stora tillverkare av Bitcoin-utrustning som Canaan och MicroBT. Den ökande efterfrågan från dessa företag har gett Samsung ytterligare incitament att snabba på optimeringen av produktionen och effektivisera sin 2-nanometerlinje.

Även om Samsung fortfarande ligger efter TSMC i kampen om avancerad halvledartillverkning, minskar bolaget avståndet genom att säkra fler beställningar. Ett av de mest betydelsefulla framstegen på senare tid var ett kontrakt värt 16,5 miljarder dollar med Tesla för att tillverka AI6-kretsar till autonoma körsystem. Mot denna bakgrund har Samsung satt upp ett ambitiöst mål: att öka beställningarna för sin 2-nanometerprocess med 130 procent under 2026, ett drag som skulle kunna stärka bolagets marknadsposition avsevärt.