Samsung Electronics har enligt insiderkällan Ice Universe och branschmedia utvecklat en prototyp av 900-lagers V-NAND, ett nästa generations vertikalt flashminne. Om uppgifterna bekräftas officiellt skulle det vara ett betydande steg mot 1 000-lagersmilstolpen som länge setts som ett nyckelmål för NAND-minnesindustrin.
Prototypen är inte byggd genom att bara stapla lager på en enda krets. Istället kombineras två 450-lagersblock med CMB-teknik (Cell-on-Cell/multi-layer bonding). Denna metod ökar lagertätheten och lagringskapaciteten samtidigt som den kringgår flera tekniska hinder som tillverkarna möter när de skalar NAND vertikalt.
För Samsung är denna demonstration särskilt viktig med tanke på den växande efterfrågan på lagring i servrar, AI-infrastruktur, datorer och mobila enheter. Företaget tillverkar redan 9:e generationens V-NAND: under 2024 annonserades massproduktion av 1-terabits TLC V-NAND, följt av 9:e generationens QLC V-NAND för AI-drivna applikationer.
Att prototypen har 900 lager betyder inte att konsument-SSD:er med detta minne är nära förestående. Mellan labbutveckling och massproduktion finns utmaningar som utbytesgrad, kostnad, tillförlitlighet, strömförbrukning och kompatibilitet med framtida styrenheter. Ändå visar den lyckade valideringen av strukturen att Samsung fortsätter sträva efter betydligt högre kapacitet utan att proportionellt öka kretsstorleken.
Om tekniken når volymproduktion kan den ligga till grund för SSD:er med mycket högre kapacitet, allt från konsumentenheter till företagslösningar för datacenter. Mot bakgrund av konkurrensen från SK hynix, Micron, YMTC och andra är det avgörande för Samsung att inte bara behålla sitt NAND-ledarskap utan också visa att de kan bli först med nästa generation av ultratätt flashminne.