Allt om Snapdragon 8 Elite Gen 6: 2 nm på TSMC N2P, stöd för LPDDR6 och UFS 5.0. Högre prestanda, lägre förbrukning och mobil AI med lansering planerad 2026.
© D. Novikov
Nya detaljer har dykt upp om Qualcomms kommande flaggskeppsprocessor, Snapdragon 8 Elite Gen 6. Enligt uppgifter ska den tillverkas på en 2‑nanometersprocess och stödja LPDDR6‑minne tillsammans med UFS 5.0‑lagring. Tillsammans pekar det mot högre prestanda och bättre energieffektivitet – två grundpelare som väger tungt inför nästa våg av AI‑centrerade funktioner.
Tack vare dessa lyft inom minne och lagring väntas Snapdragon 8 Elite Gen 6 bli bättre rustad för AI‑arbetslaster. LPDDR6 ger ännu högre bandbredd, medan UFS 5.0 lovar snabbare dataåtkomst och skrivhastigheter. Det hjälper enheter att ta sig igenom krävande beräkningar med mindre friktion. Sammantaget är inriktningen tydlig: smidigare AI‑upplevelser direkt på enheten.
Enligt uppgifter från Digital Chat Station planerar Qualcomm att tillverka kretsen på TSMC:s 2 nm‑nod N2P. Denna process kan öka prestandan med omkring 18 procent eller sänka effektförbrukningen med cirka 36 procent jämfört med 3 nm‑generationen. Samtidigt bedömer delar av expertkretsen att Qualcomm kanske inte kan ta den nya noden i bruk före 2026 – en tidslinje som ligger i linje med branschens eftertänksamma omställningstempo.
Analytiker väntar sig också att steget till en mer avancerad process och de senaste minnesstandarderna driver upp tillverkningskostnaderna. I så fall kan nästa generations flaggskeppsmobiler bli dyrare, där premiumsegmentet lär känna av effekten först.
Med lansering väntad mot slutet av 2026 framstår Snapdragon 8 Elite Gen 6 som en av de mest centrala kretsarna i mobil‑AI‑eran.