SMIC’in N+3 düğümü: EUV olmadan 5 nm sınıfında Kirin 9030 üretimi ve verim zorlukları

Çinli çip üreticisi SMIC, EUV litografi olmadan 5 nm sınıfı çiplerin seri üretimine geçerek kendi yarı iletken temelini kurma hedefinde görünür bir ilerleme kaydetti. Şirketin yeni N+3 düğümü, şu anda Çin’deki en ileri üretim süreci olarak öne çıkıyor. TechInsights, Huawei’nin Kirin 9030 yongasının bu düğümde üretildiğini doğruladı; bu gelişme, ülkenin teknoloji alanında daha fazla kendi kendine yeterlilik arayışında belirgin bir dönüm noktası sayılıyor.

N+3, daha önce Huawei’nin Ascend yapay zekâ hızlandırıcıları ve diğer altyapı ürünlerinde kullanılan 7 nm sınıfındaki N+2’nin üzerine bir nesil atlayarak geliyor. İhracat kontrolleri nedeniyle en güncel EUV tarayıcılara erişim yokken, N+3 ile daha yüksek transistör yoğunluğuna ulaşılması dikkat çekiyor. Bu sonuç, sıkı kısıtlar altında ciddi bir süreç becerisine işaret ediyor.

EUV’yi devre dışı bırakmanın bir bedeli var. SMIC, aşırı morötesi yerine 193 nm derin morötesi litografi ve karmaşık çoklu desenleme şemalarına dayanıyor. TechInsights, bu kadar agresif metalizasyon ölçeklemesinin verim tarafında ciddi zorluklar yarattığını belirtiyor. Bunun sonucunda Kirin 9030 üretiminin muhtemelen zararına yürüdüğü; kalıpların hatırı sayılır bir bölümünün ya hurdaya ayrıldığı ya da kırpılmış sürümler halinde sevk edildiği değerlendiriliyor.

Gerekli özellik boyutlarına ulaşmak için SMIC’in, sektörde bilinen fakat büyük ölçekte uygulanması zor ve maliyetli görülen öz hizalamalı dörtlü desenleme gibi tekniklere başvurduğu düşünülüyor. Mühendislik başarısı etkileyici olsa da analistler verim baskılarının ortadan kalkmadığını vurguluyor; süreç istikrarına dair ayrıntılı istatistikler de paylaşılmış değil. Bu tablo, ilerlemenin hızının kısıtlar kadar mühendislik maharetine de bağlı olduğunu gösteriyor.