Danny Weber
13:07 18-12-2025
© A. Krivonosov
Intel, ASML Twinscan EXE:5200B ile High‑NA EUV’yi üretime aldı. 14A düğümünde 8 nm çözünürlük, 0,7 nm bindirme ve saatte 175 wafer ile üretimde verim artıyor.
Intel, sektörün ilk ticari High‑NA EUV aracını — ASML Twinscan EXE:5200B — resmen devreye aldı. İlk testlerini tamamlayan yeni litografi tarayıcısı, kritik katmanlarda yüksek sayısal açıklığa sahip EUV’yi uygulayacak dünyadaki ilk düğüm olmaya hazırlanan Intel 14A sürecinin geliştirilmesinde kullanılacak.
Intel’in 2023’te Oregon’daki araştırma merkezi için teslim aldığı EXE:5000 platformu temel alınarak geliştirilen EXE:5200B, anlamlı sıçramalar sunuyor. 0,55’lik sayısal açıklığıyla sistem 8 nm’ye kadar çözünürlük sağlıyor; böylece tipik olarak yaklaşık 13 nm’de kalan geleneksel EUV tarayıcıların sıkça başvurduğu karmaşık çoklu desenleme adımları devreden çıkıyor.
Verim tarafında EXE:5200B, 50 mJ/cm² pozlama dozunda saatte 175 wafere kadar işleyebiliyor ve 0,7 nm bindirme doğruluğuna ulaşıyor. Sektör alt‑nanometre öğelere doğru ilerlerken, en küçük hizasızlığın bile doğrudan verimi törpülediği düşünüldüğünde bu rakamların önemi daha da belirgin.
Bu çıtayı yakalamak için ASML ve Intel EUV ışık kaynağını güçlendirdi, kritik alt sistemleri yeniden ele aldı. Özellikle wafer taşıma ve depolama tarafına odaklanıldı: güncellenen mimari, mekanik ve termal titreşimleri sönümlerken ısıl ortamı daha dengeli tutuyor. Pratikte bu, uzun çalışma serilerinde parametre kaymalarının azalması ve yeniden kalibrasyon için daha az duruş demek.
Intel, High‑NA EUV’nun devreye alınmasının tasarım kurallarını basitleteceğini, litografi adımlarını ve maske sayısını azaltacağını, üretim çevrimini kısaltacağını ve 14A süreci ile onu izleyenler için genel hat üzerinde verimi artıracağını belirtiyor. Eş zamanlı olarak şirket, yeni litografiden azami faydayı almak için fotomaskeleri, aşındırma süreçlerini, çözünürlük iyileştirme yöntemlerini ve metrolojiyi ince ayara tabi tutuyor.
Birlikte okunduğunda Twinscan EXE:5200B’nin kurulumu, High‑NA EUV’nun deneysel aşamadan yüksek hacimli üretime geçiş yaptığının işareti. Bu adım, Intel’in yarı iletkenlerde teknolojik liderliği yeniden kazanma hedefinde stratejinin kilit parçalarından birine dönüşebilir.