Samsung’un Taylor tesisinde 2 nm GAA hamlesi: hedef TSMC

Samsung, küresel çip yarışındaki konumunu güçlendirmek için ABD’deki üretim stratejisinde kapsamlı bir reset atıyor. Şirket, 4 nm planlarını rafa kaldırıp daha ileri bir 2 nm GAA düğümüne yöneliyor; bu hamle, sektörde lider olan TSMC’ye mesafeyi kapatma niyeti olarak okunabilir. Planın kalbinde, yüksek yoğunluklu tasarımlar için gereken EUV litografi araçlarıyla çoktan donatılmış Taylor (Teksas) tesisi yer alıyor.

Başlangıçta 4 nm üretim için düşünülen sahada rota değişti. Samsung, teknik engellere rağmen 2 nm çiplerin seri üretimini önceliklendiriyor. Kapasite de yukarı doğru ayarlanıyor: aylık 20 binden 50 bin gofrete çıkılıyor, 100 bine ulaşma ihtimali ise masada. Böylece Teksas’taki fabrika, şirketin üretim ağının çekirdek merkezlerinden biri olma yolunda ilerliyor.

Yeni düğümde ilk çipin Exynos 2600 olması bekleniyor. Başlangıçtaki verim oranları parlak sayılmazdı; ancak iyileşme eğilimi çabayı giderek daha uygulanabilir kılıyor. Buna paralel, Samsung bir sonraki yineleme olan SF2P+ üzerinde de hızlanmış durumda; birkaç yıl içinde sahneye çıkması sürpriz olmaz. Bu yön değişikliği, aradaki basamakları atlayıp doğrudan ön safa yerleşme denemesi gibi duruyor.

İvmeyi artıran bir diğer etken, yaklaşık 16,5 milyar dolarlık Tesla anlaşması: Samsung, otonom sürüş sistemleri için AI6 çipleri üretecek. Kripto donanımı alanındaki Çinli şirketlerden de ek siparişler var; bunların bir kısmının ABD dışında karşılanması muhtemel.

Tüm bu adımlar, Samsung’un TSMC’yi yalnızca yakalamayı değil, ileri süreç teknolojilerinde başa baş rekabet etmeyi hedeflediğini gösteriyor. Tempo korunursa, ABD’deki tesis küresel stratejinin köşe taşına dönüşebilir ve önümüzdeki yıllarda yarı iletkenlerde güç dengelerini az da olsa yerinden oynatabilir.