Danny Weber
Samsung’un 10 nm sınıfı 1d DRAM üzerinde çalıştığı, üretim ekipmanlarının gelecek yılın ikinci çeyreğinde devreye alınabileceği bildiriliyor.
Insider Jukan bildirdiğine göre Samsung Electronics, yedinci nesil DRAM’in seri üretimini 10 nm sınıfında hazırlıyor. Bu teknoloji daha çok 1d DRAM olarak biliniyor. Ona göre şirket, yeni süreç için gereken ekipman üzerinde şimdiden birkaç ortakla çalışıyor ve devreye alımı gelecek yılın ikinci çeyreğinde başlatmayı hedefliyor.
1d DRAM, yaklaşık 10–11 nm çizgi genişliğine sahip belleği ifade ediyor. Karşılaştırma için mevcut altıncı nesil 1c DRAM’in yaklaşık 11–12 nm seviyesinde olduğu tahmin ediliyor. Bu değer küçüldükçe belleğin olası performansı ve enerji verimliliği artıyor. Sunucular, AI hızlandırıcıları ve HBM tarafındaki talep büyürken bu fark daha da önemli hale geliyor.
Samsung şimdiden iç değerlendirmeler yürütüyor ve bunlara erken 1d DRAM örnekleri de dahil. Daha önce şirketin seri üretime bu yıl geçebileceği öne sürülmüştü, ancak sektör kaynakları bunu düşük olasılıklı görüyor. Nedeni basit: 1d DRAM için kilit ekipman hâlâ geliştirme aşamasında görünüyor.
Insider’a göre Samsung şimdi ortaklarıyla üretim ekipmanının gelecek yılın ikinci çeyreğinde devreye alınmasını görüşüyor. Hatların ayarlanması ve üretimin hazırlanması için gereken süre düşünüldüğünde, gerçek seri üretim en erken gelecek yılın sonunda başlayabilir. Daha net bir takvimin bu yılın sonuna doğru ortaya çıkması bekleniyor.
Sektör kaynakları, Samsung’un 1d DRAM verimini ve özelliklerini stabilize etmek için aktif biçimde çalıştığını söylüyor. Şirket için bu yalnızca yeni bir süreç küçültmesi değil, yapay zekâ odaklı bellek stratejisinin önemli bir parçası.
1d DRAM’in HBM5E için temel kalıp olması bekleniyor; bu da yüksek bant genişlikli belleğin dokuzuncu nesli olacak ve ticarileşmesinin 2029’da gerçekleşmesi öngörülüyor. Samsung yeni süreci zamanında devreye alırsa SK Hynix ve Micron’a karşı bellek yarışındaki konumunu güçlendirebilir.
© A. Krivonosov