2 nm GAA’lı Exynos 2600, Geekbench’te Snapdragon 8 Elite Gen 5’i geçti ve Apple M5’e yaklaştı

Samsung, kendi geliştirdiği mobil işlemcilerde kayda değer bir sıçramaya hazırlanıyor. Taze sızıntılara göre 2 nm süreç ve Gate-All-Around (GAA) transistörleri üzerine kurulu yeni Exynos 2600, Geekbench’te tek çekirdekte 4.217, çok çekirdekte 13.482 puan elde etti. Bu skorlar Apple M5 seviyesine yaklaşırken Snapdragon 8 Elite Gen 5’i geride bırakıyor; tablo, yonganın en güçlü mobil seçenekler arasına yerleştiğini ve aradaki farkın daraldığı izlenimini veriyor.

İşlemci 1+3+6 dizilimine dayanıyor: bir çekirdek 4,2 GHz’de, üç performans çekirdeği 3,56 GHz’de, altı verimlilik çekirdeği ise 2,76 GHz’de çalışıyor. Bu karışım, ham gücü tutumlulukla dengelemeyi hedefliyor. Akım sızıntısını azaltıp kararlılığı artıran GAA teknolojisinin etkisiyle Exynos 2600’ün seleflerinden yalnızca daha hızlı değil, aynı zamanda daha ekonomik olması bekleniyor. Kağıt üzerinde yaklaşım dengeli görünüyor; gerçek kullanımda da karşılığını bulursa, verimlilik tarafında hissedilir bir kazanım şaşırtmaz.

Söylentilere göre Exynos 2600, Avrupa ve Güney Kore’ye gelecek Galaxy S26 modellerine güç verecek; buna karşılık ABD, Çin ve Japonya’da Samsung’un Snapdragon 8 Elite Gen 5’i kullanmayı sürdürmesi muhtemel. Yine de amiral gemilerinde 2 nm’lik bir dahili işlemciye yer açmak, Qualcomm’a bağımlılığı azaltma ve Samsung Foundry’yi TSMC ile rekabette güçlendirme niyetini yansıtan stratejik bir tercih olarak öne çıkıyor.