Samsung, yapay zeka ve veri merkezleri için High Bandwidth Flash (HBF) geliştirmesine başladı; Z‑NAND temeliyle hız ve entegrasyon avantajı hedefliyor.
© A. Krivonosov
Güney Koreli fnnews’un aktardığına göre Samsung Electronics, veri merkezleri ve yapay zeka sistemlerini hedefleyen yeni bir yüksek hızlı flaş bellek sınıfı High Bandwidth Flash (HBF) için erken geliştirme sürecini başlattı. Şirket kavramsal tasarım ve ön araştırma aşamasına geçmiş durumda; kesin teknik özellikler ve çıkış takvimi ise şimdilik belirlenmiş değil.
Sektörde HBF için iki ayrı rota belirginleşiyor. İlki, SanDisk’in ortaya attığı ve SK Hynix’in desteklediği “HBM’in NAND sürümü” yaklaşımı. Diğer yol Kioxia’dan geliyor; şirket bunu daha önce çok terabayt kapasite ve yüksek aktarım sunan bir PCIe aygıtı olarak sergilemişti. Bu çift kulvarlı tablo, Samsung’u stratejik bir seçimle baş başa bırakıyor ve şu an için hangi yönü tercih edeceği net değil.
Günümüzün ölçeği büyüyen yapay zeka iş yüklerinde, klasik NAND tabanlı SSD’ler giderek darboğaza dönüşüyor; ağır trafik altında devasa veri akışını taşımakta zorlanıyorlar. Bu yüzden üreticiler, NAND ile DRAM arasına yerleşecek ara katmanları araştırıyor. Samsung’un Z‑NAND’ı da hız ile güvenilirlik arasında denge kurarak MLS/SLM katmanında işe yarayabilecek bir seçenek olarak öne çıkıyor.
Bu arka plan üzerinde HBF, depolama pazarının yeni sıcak cephesi haline geliyor. Önde gelen bellek üreticileri, altyapı talebinin zirve yapmasından önce konumlarını sağlamlaştırmaya çalışıyor. Gidişat ortada: Güvenilir ve uçtan uca bir yığına ilk ulaşan oyuncu, kategorinin olgunlaşma şeklini büyük ölçüde belirleyecek.
Mevcut ayrıntılar dikkate alındığında, yüksek bant genişlikli flaşa adım atmak Samsung’a yapay zeka altyapısında gerçek bir avantaj kazandırabilir. Şirketin elinde Z‑NAND gibi yapı taşları, uçtan uca bellek üretim ve paketleme zinciri ve AI sunucu ekosistemlerindeki güçlü varlığı bulunuyor. Bu bileşen seti, hızlı uyum sağlamayı ve entegre veri merkezi ürünleri sunmayı kolaylaştırıyor; doğal olarak şirkete manevra alanı da yaratıyor.
Öte yandan riskler net. Gecikme ve güvenilirlik tarafında flaş hâlâ DRAM’in gerisinde; piyasada standartlaşma ve geniş ekosistem desteği gerekecek; SanDisk ve SK Hynix gibi rakipler kendi tasarımlarını ilerletiyor. Isıl sınırlamalar ve maliyet de benimsemeyi yavaşlatabilir. Samsung’un başarısı, CXL modüllerinden AI‑SSD’lere uzanan alternatif yolları geride bırakıp bırakamayacağına bağlı olacak.