Samsung Electronics'in, Ice Universe ve sektör medyasına göre 900 katmanlı V-NAND prototipi geliştirdiği bildiriliyor. Bu, NAND bellek endüstrisinde uzun süredir önemli bir hedef olarak görülen 1.000 katman eşiğine doğru atılmış büyük bir adım olarak değerlendiriliyor.
Prototipin, tek bir kalıp üzerinde katmanları basitçe üst üste eklemek yerine, iki adet 450 katmanlı bloğu CMB (Cell-on-Cell/çok katmanlı bağlama) teknolojisiyle birleştirerek oluşturulduğu söyleniyor. Bu yöntem, katman sayısını ve depolama yoğunluğunu artırırken, üreticilerin dikey NAND ölçeklendirmede karşılaştığı bazı teknolojik engelleri aşmayı sağlıyor.
Samsung için bu gösterim, sunucular, yapay zeka altyapısı, PC'ler ve mobil cihazlarda depolama talebinin arttığı bir dönemde özellikle önem taşıyor. Şirket halihazırda 9. nesil V-NAND üretiyor: 2024'te 1-terabit TLC V-NAND'ın seri üretimini duyurdu ve ardından yapay zeka odaklı uygulamalar için 9. nesil QLC V-NAND'ı tanıttı.
900 katmanlı prototip, tüketici SSD'lerinde bu belleğin yakında kullanılacağı anlamına gelmiyor. Laboratuvar geliştirmesi ile seri üretim arasında verim oranları, maliyet, güvenilirlik, güç tüketimi ve gelecekteki denetleyicilerle uyumluluk gibi zorluklar bulunuyor. Yine de bu yapının başarıyla doğrulanması, Samsung'un kalıp boyutunu orantılı olarak artırmadan önemli ölçüde daha yüksek kapasiteye yönelik bir yol izlemeye devam ettiğini gösteriyor.
Teknoloji seri üretime ulaşırsa, tüketici sürücülerinden veri merkezleri için kurumsal çözümlere kadar çok daha yüksek kapasiteli SSD'lerin temelini oluşturabilir. SK hynix, Micron, YMTC ve diğerleriyle rekabet ortamında Samsung'un yalnızca NAND liderliğini sürdürmesi değil, aynı zamanda ultra yoğun flaş belleğin bir sonraki nesline ilk yaklaşan olabileceğini kanıtlaması da büyük önem taşıyor.