Samsung, Santa Clara’daki Future of Memory and Storage etkinliğinde yeni nesil bellek ve veri depolama teknolojilerini tanıttı. Geliştirmelerin çoğu veri merkezleri, yapay zekâ hızlandırıcıları ve uç bilişim sistemlerini hedefliyor.
Öne çıkan yeniliklerden biri zHBM konsepti oldu. Bu mimaride HBM bellek, AI hızlandırıcısının yanına değil doğrudan üstüne yerleştiriliyor. Samsung’a göre bu düzen, geleneksel tasarımlara kıyasla sekiz kata kadar performans sağlayabilir. Şirket, zHBM üretiminde yeni nesil wafer bonding teknolojisi kullanmayı planlıyor. Bu yöntem, HBM5’e göre on kattan fazla bellek yoğunluğu sunarken enerji verimliliğini de üç kat artırmayı hedefliyor.
Samsung ayrıca SSD’ler, bellek kartları ve diğer depolama cihazları için yeni bir dikey flash bellek türü olan V10 BV-NAND’i gösterdi. Bonding V-NAND mimarisi 400’den fazla hücre katmanını birleştirebiliyor ve V9 nesline göre yoğunluğu yaklaşık %58 artırıyor. Şirket okuma, yazma ve giriş-çıkış performansında da artış vaat ediyor.
Bir diğer geliştirme olan zNAND-O; alanın verimli kullanımı, düşük gecikme ve gelişmiş giriş-çıkış performansını bir araya getiriyor. Çözüm öncelikle uç yapay zekâ sistemleri için tasarlandı.
Şirket ayrıca, Samsung’un entegre veri işleme özelliğine sahip ilk LPDDR5X belleği olan LPDDR5X-PIM modelini sergiledi. Bazı hesaplamalar doğrudan bellek içinde yapılabiliyor; böylece bileşenler arasındaki veri hareketi azalıyor ve sistemin genel verimliliği yükseliyor.