Nadcházející Samsung Galaxy S26 má přinést LPDDR5X 10,7 Gb/s a min. 12 GB RAM. Řeší se, zda Exynos 2600 využije plnou rychlost oproti Snapdragonu 8 Elite.
© A. Krivonosov
Insider Ice Universe přinesl pro fanoušky Samsungu optimistickou zprávu: podle něj má celá řada Galaxy S26 dostat nejrychlejší RAM na trhu, LPDDR5X s rychlostí 10,7 Gb/s, a navíc už je ve velkovýrobě. Minimální konfigurace má začínat na 12 GB, což slibuje znatelný výkonový posun oproti současným modelům Galaxy S25.
Jenže je tu háček. Technologický blogger Abhishek Yadav zvedl otázku, zda domácí čip Exynos 2600 takovou propustnost vůbec utáhne. Snapdragon 8 Elite se totiž zastavuje na 9,67 Gb/s, zatímco plnou podporu 10,7 Gb/s má nabídnout až další generace, Snapdragon 8 Elite Gen 5.
Pokud Exynos 2600 nedokáže rozběhnout LPDDR5X na plný výkon, může se stát, že se Galaxy S26 budou v různých regionech chovat odlišně. Samsung tradičně nasazuje Exynos v Evropě a Jižní Koreji a Snapdragon v USA a Číně, takže se znovu otevírá téma výkonové parity mezi verzemi. Pro běžného uživatele z toho plyne jediné: skutečný dojem z rychlosti se může lišit podle trhu.
Samsung se k úniku nevyjádřil. Pokud se informace potvrdí, rodina Galaxy S26 by se stala první řadou značky s pamětí nové generace — změnou, která slibuje nejen svižnější rozhraní, ale i výkonovou rezervu pro nadcházející vlajkové procesory. Je to krok, který by mohl dát softwaru i hardwaru více prostoru dýchat, pokud se technická stránka nepokazí právě na rozdílech mezi čipsety.