Samsung spouští raný vývoj High Bandwidth Flash (HBF) pro AI a datová centra. Strategie, přínosy i rizika vůči DRAM a co znamená HBF pro trh úložišť dnes.
© A. Krivonosov
Jihokorejský server fnnews informuje, že Samsung Electronics zahájil raný vývoj High Bandwidth Flash (HBF) – nové třídy rychlé flash paměti určené pro datová centra a systémy umělé inteligence. Firma se přesunula do fáze koncepčního návrhu a předběžného výzkumu; konkrétní specifikace ani termíny uvedení zatím stanoveny nejsou.
V celém odvětví se současně rýsují dva přístupy k HBF. Jeden představuje takzvaná „NAND verze HBM“, kterou poprvé navrhl SanDisk a kterou podporuje SK Hynix. Druhý směr přichází od společnosti Kioxia a byl dříve demonstrován jako zařízení pro PCIe s víceterabajtovou kapacitou a vysokou propustností. Tato dvojkolejná situace staví Samsung před strategickou volbu a zatím není jasné, kterou cestu zvolí.
V měřítku moderní AI se totiž z běžných SSD na bázi NAND stává úzké hrdlo: pod těžkou zátěží nezvládají držet krok s obrovskými objemy dat. Výrobci proto hledají mezivrstvy mezi NAND a DRAM. Vlastní Z‑NAND od Samsungu by se mohl uplatnit ve vrstvě MLS/SLM a nabídnout kompromis mezi rychlostí a spolehlivostí.
Na tomto pozadí se HBF profiluje jako další horká fronta trhu s úložišti: přední výrobci pamětí se snaží upevnit pozice ještě před tím, než poptávka po infrastruktuře vyvrcholí. Směr je zřejmý – kdo jako první vybuduje přesvědčivý end‑to‑end stack, ten do velké míry určí, jak se kategorie vyvine. Závod o definici nové vrstvy paměťové hierarchie je tedy v plném proudu.
Soudě podle dostupných informací by vstup do high‑bandwidth flash mohl Samsungu dát citelný náskok v oblasti AI infrastruktury. Společnost už má k dispozici stavební bloky jako Z‑NAND, kompletní výrobní a packagingový řetězec pamětí i silné zázemí v ekosystémech AI serverů – výhody, které usnadňují rychlou adaptaci a dodávky integrovaných produktů pro datová centra. Pro Samsung to může být moment, kdy se vyplatí trpělivost i rychlá exekuce.
Rizika jsou však zřejmá. Flash stále zaostává za DRAM v latenci i spolehlivosti; trh si vyžádá standardizaci a širokou podporu ekosystému; a konkurenti jako SanDisk a SK Hynix posouvají vpřed vlastní návrhy. Tepelná omezení a náklady mohou přijetí dále zpomalit. Úspěch Samsungu tak bude záviset na tom, zda dokáže předběhnout alternativní směry – od modulů CXL po AI‑SSD.