Samsung údajně dosáhl 50% výtěžnosti u HBM4 na 1c DRAM, pořizuje High-NA EUV od ASML a buduje linky pro HBM4/HBM4E. Konkurenční boj se SK hynix sílí.
© RusPhotoBank
Podle TweakTown dosáhl Samsung u HBM4 vyráběné na 1c DRAM výtěžnosti 50 % a zároveň aktivně rozšiřuje kapacity pro sériovou výrobu HBM4 a HBM4E.
Zdroje uvádějí, že společnost pořídila pět nejnovějších High-NA EUV litografických systémů od ASML: dva pro foundry byznys a tři výhradně pro paměti. Samotné rozdělení působí jako zřetelný signál, že priorita padá na HBM.
Podle průmyslových expertů Samsung de facto buduje vyhrazenou paměťovou linku — krok, který má urychlit masovou výrobu HBM4 a současně připravit půdu pro HBM4E i HBM5. Prozatím DRAM provoz ve fabu Pyeongtaek vyprodukuje zhruba 300 000 waferů měsíčně a kapacita se blíží svému limitu. Část nových nástrojů by se mohla přesunout do závodu v Tayloru v Texasu, pokud dorazí dodatečné objednávky od klíčových severoamerických zákazníků, aby náběh zůstal co nejpružnější.
Mezitím hlavní rival SK hynix zůstává v čele a dodává NVIDII HBM3 a HBM3E pro GPU Blackwell. Analytici očekávají, že zesílené investice Samsungu do HBM nevyhnutelně rozžhaví soutěž na trhu výkonných pamětí a závod ještě více vyrovnají.