Samsung verbessert Ausbeute bei 2-nm-Fertigung auf 60 Prozent

Samsung macht weiterhin deutliche Fortschritte bei der Entwicklung seines hochmodernen 2-Nanometer-Fertigungsprozesses, der auf der Gate-All-Around (GAA)-Transistorarchitektur basiert. Laut aktuellen Berichten liegt die Gesamtausbeute dieses Prozesses nun bei etwa 60 Prozent. Das ist eine bemerkenswerte Steigerung gegenüber den 50 Prozent, die im Januar gemeldet wurden. Noch beeindruckender fällt der Vergleich mit der zweiten Hälfte des Jahres 2025 aus, als die Ausbeuten bei nur rund 20 Prozent lagen – ein Anstieg um mehr als das Dreifache.

Für Samsungs hauseigenen Exynos-2600-Chip bleibt die Lage jedoch herausfordernd. Dessen Ausbeute hat die 50-Prozent-Marke noch nicht überschritten, auch wenn dieser Wert bereits einen deutlichen Fortschritt gegenüber den frühen Produktionsphasen darstellt. Es ist wichtig zu betonen, dass Samsung üblicherweise keine genauen Ausbeutedaten für seine Fertigungsknoten veröffentlicht, sodass diese Schätzungen von Branchenquellen stammen.

Ein wesentlicher Treiber für die verbesserten Ausbeuten sind neue Kundenaufträge, unter anderem von großen Herstellern von Bitcoin-Mining-Hardware wie Canaan und MicroBT. Die steigende Nachfrage dieser Unternehmen gibt Samsung zusätzlichen Anreiz, die Produktionsoptimierung voranzutreiben und die Effizienz seiner 2-nm-Linie zu erhöhen.

Zwar liegt Samsung im Wettlauf um die fortschrittliche Halbleiterfertigung noch hinter TSMC, doch das Unternehmen schließt die Lücke allmählich durch mehr Aufträge. Ein besonders bedeutender Erfolg war kürzlich der Abschluss eines 16,5-Milliarden-Dollar-Vertrags mit Tesla zur Produktion von AI6-Chips für autonome Fahrzeugsysteme. Vor diesem Hintergrund hat sich Samsung ein ehrgeiziges Ziel gesetzt: Die Aufträge für seinen 2-nm-Prozess sollen 2026 um 130 Prozent steigen – ein Schritt, der seine Marktposition erheblich stärken könnte.