Samsung entwickelt 1-Nanometer-Technologie für effizientere Chips

Samsung treibt die Lithografietechnik voran und strebt an, bis 2031 einen 1-Nanometer-Prozess einzuführen, der als "Traum-Halbleiter" bezeichnet wird. Forschung und Entwicklung laufen derzeit und sollen bis 2030 abgeschlossen sein. Diese neue Technologie ermöglicht es, mehr Transistoren auf derselben Fläche unterzubringen, und zwar durch eine "Gabel"-Methode, die eine nichtleitende Barriere zwischen GAA-Elementen einfügt.

Aktuelle 2-Nanometer-Prozesse von Samsung nutzen die Gate-All-Around-Technologie (GAA), die die Energieeffizienz steigert, indem Kanäle von drei auf vier Spuren erweitert werden. Beim 1-Nanometer-Knoten wäre GAA ohne Anpassungen weniger effektiv, daher setzt das Unternehmen ein Verzweigungsschema mit der "Gabel" ein, um die Transistordichte zu maximieren. Im Grunde ähnelt dies der architektonischen Verdichtung in Gebäuden: Freiraum wird reduziert, und neue Strukturen nehmen ihn ein, um mehr Komponenten unterzubringen.

Ursprünglich hatte Samsung einen 1,4-Nanometer-Prozess geplant, dessen Veröffentlichung jedoch auf 2028 verschoben wurde, wahrscheinlich um den Fokus auf die Weiterentwicklung von 2-Nanometer-Technologien zu legen. Die "Gabel"-Technologie könnte frühere Produktionsherausforderungen lösen, aber die endgültige Effizienz und Skalierbarkeit des 1-Nanometer-Prozesses wird erst mit dem Start der Massenproduktion klar werden.

Darüber hinaus arbeitet Samsung weiter an Energieeffizienzproblemen in seinen SoCs, wie dem Exynos 2600. Dieser Chip verbraucht beispielsweise bis zu 30 W während Geekbench-6-Tests, was die Akkulaufzeit von Geräten im Vergleich zu Konkurrenten mit Snapdragon reduziert. Der Umstieg auf verbesserte 2-Nanometer-Prozesse und die spätere Einführung der 1-Nanometer-Technologie sollten helfen, diese Schwächen zu beheben und die Grundlage für künftige Mobilprozessoren zu legen.