Samsung Electronics hat einem Bericht des Insiders Ice Universe und Branchenmedien zufolge einen Prototypen von 900-Layer-V-NAND entwickelt, einem vertikalen Flash-Speicher der nächsten Generation. Sollte dies offiziell bestätigt werden, wäre es ein bedeutender Schritt in Richtung der 1.000-Layer-Marke, die seit langem als wichtiges Ziel der NAND-Branche gilt.
Der Prototyp entsteht nicht durch einfaches Stapeln von Schichten auf einem einzelnen Die, sondern durch die Kombination zweier 450-Layer-Blöcke mithilfe der CMB-Technologie (Cell-on-Cell/Multi-Layer-Bonding). Dieser Ansatz erhöht die Anzahl der Schichten und die Speicherdichte, während er einige der technologischen Hürden umgeht, die Hersteller bei der vertikalen Skalierung von NAND bewältigen müssen.
Für Samsung ist diese Demonstration besonders wichtig, da die Nachfrage nach Speicher in Servern, KI-Infrastruktur, PCs und mobilen Geräten steigt. Das Unternehmen produziert bereits V-NAND der neunten Generation: 2024 kündigte es die Massenproduktion von 1-Terabit-TLC-V-NAND an, gefolgt von QLC-V-NAND der neunten Generation für KI-gesteuerte Anwendungen.
Der 900-Layer-Prototyp bedeutet nicht, dass Verbraucher-SSDs mit diesem Speicher unmittelbar bevorstehen. Zwischen Laborentwicklung und Massenproduktion liegen Herausforderungen wie Ausbeute, Kosten, Zuverlässigkeit, Stromverbrauch und Kompatibilität mit künftigen Controllern. Dennoch zeigt die erfolgreiche Validierung dieser Struktur, dass Samsung weiterhin einen Weg zu deutlich höheren Kapazitäten verfolgt, ohne die Die-Größe proportional zu erhöhen.
Sollte die Technologie in Serie gehen, könnte sie die Grundlage für SSDs mit wesentlich höheren Kapazitäten bilden – von Consumer-Laufwerken bis hin zu Enterprise-Lösungen für Rechenzentren. Vor dem Hintergrund des Wettbewerbs mit SK hynix, Micron, YMTC und anderen ist es für Samsung entscheidend, nicht nur seine NAND-Führungsposition zu halten, sondern auch zu beweisen, dass es als erstes Unternehmen die nächste Generation ultra-dichten Flash-Speichers erreichen kann.