Insider Jukan berichtete, dass Samsung Electronics die Massenproduktion von DRAM der siebten Generation in der 10 nm-Klasse vorbereitet, besser bekannt als 1d DRAM. Seinen Angaben zufolge arbeitet das Unternehmen bereits mit mehreren Partnern an Anlagen für den neuen Prozess und rechnet damit, die Einführung im zweiten Quartal des kommenden Jahres zu beginnen.
1d DRAM bezeichnet Speicher mit Linienbreiten von etwa 10–11 nm. Zum Vergleich: Aktueller 1c DRAM der sechsten Generation wird auf rund 11–12 nm geschätzt. Je kleiner dieser Wert wird, desto höher fallen potenziell Leistung und Energieeffizienz des Speichers aus. Angesichts der wachsenden Nachfrage durch Server, KI-Beschleuniger und HBM wird selbst dieser Unterschied wichtig.
Samsung führt bereits interne Bewertungen durch, darunter auch frühe Muster von 1d DRAM. Zuvor hieß es, das Unternehmen könne schon in diesem Jahr in die Massenproduktion wechseln, doch Branchenquellen halten dieses Szenario für wenig wahrscheinlich. Der Grund ist simpel: Wichtige Anlagen für 1d DRAM befinden sich offenbar noch in der Entwicklung.
Der Insider berichtet, dass Samsung nun mit Partnern über die Einführung von Produktionsanlagen im zweiten Quartal des kommenden Jahres spricht. Rechnet man die Zeit für die Abstimmung der Linien und die Produktionsvorbereitung hinzu, dürfte der reale Start der Massenfertigung frühestens Ende nächsten Jahres erfolgen. Ein klarerer Zeitplan wird gegen Ende dieses Jahres erwartet.
Branchenquellen zufolge arbeitet Samsung intensiv daran, Ausbeute und Eigenschaften von 1d DRAM zu stabilisieren. Für das Unternehmen ist das nicht nur der nächste Shrink, sondern ein wichtiger Baustein seiner künftigen Strategie für KI-Speicher.
1d DRAM soll der Basischip für HBM5E werden, die neunte Generation von High-Bandwidth Memory, deren Kommerzialisierung für 2029 erwartet wird. Gelingt Samsung der rechtzeitige Start des neuen Prozesses, könnte das die Position des Konzerns im Rennen mit SK Hynix und Micron stärken.