Samsung prioriza la rentabilidad: aumenta DRAM 1b y capitaliza la subida del DDR5, mientras frena HBM por bajos rendimientos de HBM4 y sin acuerdo con NVIDIA.
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Samsung está reconfigurando su estrategia de memoria con un enfoque claro en la rentabilidad. La compañía acelera la producción de DRAM convencional y, de forma temporal, modera la inversión en memoria HBM. Con los precios de los módulos DDR5 al alza —aproximadamente un 60% en los dos últimos meses—, el momento no parece casual: ir tras los márgenes donde la demanda aprieta es una vía rápida para impulsar las ganancias.
Según medios surcoreanos, el plan pasa por ampliar la producción de DRAM de quinta generación (1b) mediante la migración de líneas antiguas a nodos de proceso más recientes y la reasignación de capacidad que antes se destinaba a memoria NAND. Esta vía permite elevar el volumen con mayor rapidez y sin grandes desembolsos de capital.
En cambio, el negocio de HBM sigue en números rojos: los bajos rendimientos de los chips HBM4 y la ausencia de un acuerdo de suministro cerrado con NVIDIA frenan los avances. Samsung planea mantener para el próximo año únicamente el nivel mínimo necesario de producción de HBM y, por ahora, no ve esta categoría como un motor de beneficios.
La dirección ha sido explícita: el objetivo del año que viene es maximizar la rentabilidad. Fuentes internas apuntan a que Han Jinman asumirá el mando de la división de memoria; se le considera un especialista en fijación estratégica de precios y se espera que afile la ventaja de la compañía en un mercado de DRAM que crece a gran velocidad.