Intel pone en marcha el ASML Twinscan EXE:5200B, la primera herramienta High‑NA EUV para desarrollar el nodo 14A con más resolución, precisión y rendimiento.
© A. Krivonosov
Intel ha puesto en marcha oficialmente la primera herramienta comercial de EUV de alta apertura numérica (High‑NA) de la industria: la ASML Twinscan EXE:5200B. Tras completar las pruebas iniciales, el nuevo escáner de litografía se usará para desarrollar el proceso Intel 14A, llamado a convertirse en el primer nodo del mundo que aplique High‑NA EUV a capas críticas.
Basado en la plataforma EXE:5000 que Intel recibió en 2023 para su centro de investigación en Oregón, el EXE:5200B da un salto significativo. Con una apertura numérica de 0,55, el sistema alcanza hasta 8 nm de resolución y elimina el multipatronado complejo que a menudo requieren los escáneres EUV convencionales, cuyo poder de resolución ronda los 13 nm.
En capacidad de procesamiento, el EXE:5200B puede manejar hasta 175 obleas por hora con una dosis de exposición de 50 mJ/cm² y logra una precisión de superposición de 0,7 nm. Son cifras que cobran peso a medida que el sector avanza hacia elementos subnanométricos, donde incluso una ligera desalineación muerde directamente el rendimiento.
Para alcanzar estos objetivos, ASML e Intel reforzaron la fuente de luz EUV y revisaron subsistemas clave. El transporte y el almacenamiento de obleas recibieron especial atención: la arquitectura actualizada mantiene un entorno térmico más estable y amortigua las vibraciones mecánicas y térmicas. En la práctica, eso se traduce en menos deriva de parámetros en tiradas largas y menos interrupciones para recalibrar.
Intel señala que el despliegue de High‑NA EUV debería simplificar las reglas de diseño, recortar pasos de litografía y recuento de máscaras, acortar el ciclo de fabricación y elevar el throughput general para 14A y lo que venga después. En paralelo, la compañía está afinando fotomáscaras, procesos de grabado, métodos de mejora de resolución y metrología para extraer todo el valor de la nueva litografía.
Visto en conjunto, la instalación del Twinscan EXE:5200B marca el paso de High‑NA EUV de equipo experimental a producción a gran escala y apunta a convertirse en una pieza clave de la estrategia de Intel para recuperar el liderazgo tecnológico en semiconductores.