Qualcomm negocia con Samsung una doble fundición para el Snapdragon 8 Elite Gen 5 a 2 nm GAA, con costes menores que TSMC y planes de salida rápida al mercado.
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Qualcomm se prepara para replantear cómo fabrica sus chips insignia y avanzar hacia una estrategia de doble fundición. En el CES 2026 salió a la luz que la compañía mantiene conversaciones con Samsung para producir el Snapdragon 8 Elite Gen 5 con un proceso GAA de 2 nm, un giro que apunta a un abastecimiento más flexible.
El director ejecutivo de Qualcomm, Cristiano Amon, señaló ante la prensa que, entre varios fabricantes por contrato potenciales, la compañía ha iniciado conversaciones con Samsung Electronics para usar su tecnología de 2 nm más reciente. Añadió que el diseño del chip ya está terminado, con la vista puesta en una comercialización rápida, lo que deja claro que el calendario es una prioridad.
Samsung ya emplea la tecnología GAA de 2 nm para la producción en masa del Exynos 2600. Aunque los primeros rendimientos se estiman en torno al 50%, la compañía muestra tracción: en el último año ha conseguido varios contratos de peso, entre ellos un acuerdo de 16.500 millones de dólares con Tesla, además de pedidos en hardware de IA y de criptomonedas. En conjunto, estos logros apuntan a una estabilización tanto en sus nodos más nuevos como en los más maduros.
Según fuentes del sector, Samsung planea destinar alrededor del 10% de la capacidad de su planta S3 de Hwaseong a la fabricación del Snapdragon 8 Elite Gen 5. Esos pedidos podrían generar en el corto plazo unos 470 millones de dólares en ingresos.
El precio también inclina la balanza a favor de Samsung: se estima que las obleas de 2 nm rondan los 20.000 dólares, mientras que las ofertas comparables de TSMC se acercarían a los 30.000. Esa brecha convierte al fabricante coreano en un socio más atractivo para Qualcomm, sobre todo a medida que el coste del silicio de gama alta no deja de subir.