UAES, InnoScience y Naixinwei acuerdan integrar GaN en la electrónica de potencia para elevar eficiencia y densidad energética en vehículos eléctricos.
© A. Krivonosov
El 1 de octubre, InnoScience, United Automotive Electronic Systems (UAES) y Naixinwei anunciaron que firmaron un acuerdo de cooperación estratégica para desarrollar productos innovadores basados en nitruro de galio (GaN) para la próxima generación de vehículos eléctricos.
El desarrollo conjunto se centrará en integrar GaN en sistemas de electrónica de potencia para elevar la densidad energética, la fiabilidad y la eficiencia. Frente a las soluciones tradicionales de silicio, el GaN permite diseños más compactos y ayuda a reducir peso y consumo energético, ventajas especialmente relevantes para la electrificación y el aligeramiento de los vehículos.
La alianza reúne fortalezas complementarias: UAES en la integración de sistemas automotrices, Naixinwei en el diseño de chips analógicos y de señal mixta de alto rendimiento, e InnoScience en componentes de potencia GaN. En conjunto, la alianza se perfila como una apuesta pragmática por convertir al GaN en pieza central de la electrónica de potencia para vehículos eléctricos. Las compañías aspiran a crear una plataforma de innovación intersectorial y a acelerar el despliegue de nuevas soluciones en fabricación, con el objetivo de respaldar el desarrollo sostenible y el creciente valor del sector de los vehículos eléctricos.