Samsung desarrolla High Bandwidth Flash (HBF), memoria flash de alto ancho de banda para IA y centros de datos, entre NAND y DRAM. Claves y riesgos y estrategia.
© A. Krivonosov
Según el medio surcoreano fnnews, Samsung Electronics ha iniciado el desarrollo temprano de High Bandwidth Flash (HBF), una nueva clase de memoria flash de alta velocidad orientada a centros de datos y sistemas de inteligencia artificial. La compañía ya trabaja en el diseño conceptual y en la investigación preliminar, aunque las especificaciones y el calendario de lanzamiento aún no están decididos.
En la industria se perfilan dos rutas para HBF. Una es una variante de HBM basada en NAND, planteada en su día por SanDisk y respaldada por SK Hynix. La otra, procedente de Kioxia, se ha mostrado como un dispositivo PCIe con capacidad de varios terabytes y alto caudal. Este escenario de doble vía obliga a Samsung a escoger estrategia; por ahora no está definido el camino que tomará.
A la escala de la IA actual, las SSD basadas en NAND se convierten cada vez más en un cuello de botella, incapaces de acompasar volúmenes de datos enormes bajo cargas intensas. En respuesta, los fabricantes exploran niveles intermedios entre NAND y DRAM. La propia Z‑NAND de Samsung podría encajar en la capa MLS/SLM, buscando un equilibrio entre velocidad y fiabilidad.
Con este telón de fondo, HBF emerge como el próximo frente caliente del mercado de almacenamiento, y los grandes actores de memoria quieren asegurar posiciones antes de que la demanda de infraestructura toque techo. La dirección parece evidente: quien construya primero una pila de extremo a extremo con credibilidad definirá la madurez de esta categoría.
A juzgar por los datos disponibles, adentrarse en la flash de gran ancho de banda podría darle a Samsung una ventaja real en la infraestructura de IA. La compañía ya cuenta con piezas clave: Z‑NAND, una cadena completa de fabricación y empaquetado de memoria, y una presencia sólida en ecosistemas de servidores de IA. Son bazas que facilitan adaptarse con rapidez y ofrecer productos integrados para centros de datos.
Hay, no obstante, riesgos claros. La flash sigue por detrás de la DRAM en latencia y fiabilidad; el mercado necesitará estandarización y un apoyo amplio del ecosistema; y competidores como SanDisk y SK Hynix avanzan con diseños propios. Las limitaciones térmicas y el coste también pueden ralentizar la adopción. El éxito de Samsung dependerá de si logra ir por delante de rutas alternativas, desde módulos CXL hasta AI‑SSDs.