Exynos 2600 a 2 nm: así desafía al Snapdragon 8 Elite Gen 5 en Geekbench 6

Samsung parece lista para recuperar la confianza en su silicio. Una nueva filtración de benchmarks sugiere que el Exynos 2600, fabricado con un proceso GAA de 2 nm, se ha acercado al buque insignia Snapdragon 8 Elite Gen 5.

Según Geekbench 6, el Exynos 2600 obtuvo 3.309 puntos en mononúcleo y 11.256 en multinúcleo. En comparación, el Galaxy S26 Edge con Snapdragon 8 Elite Gen 5 alcanzó 3.393 y 11.515 puntos, respectivamente. La diferencia es mínima: alrededor de un 2,5% a favor de Qualcomm.

Destaca que, en esta prueba, el Snapdragon funcionó a frecuencias reducidas (4,0 GHz frente a sus 4,74 GHz nominales), lo que deja margen para que ambos chips estiren aún más. Para Samsung, es un salto notable: la mejora frente a la generación anterior asciende al 53,5%. El cambio de ritmo por fin se ve en los gráficos, no solo en las hojas de ruta.

Ahora la verdadera prueba es la eficiencia energética. Ese parámetro será decisivo para el Galaxy S26 y los próximos modelos. Si el Exynos 2600 no solo da alcance, sino que supera al Snapdragon en rendimiento por vatio, Samsung podría volver a situarse entre los líderes de la carrera de chips móviles, y la conversación en torno a Exynos podría cambiar igual de rápido.