Con 2 nm N2P de TSMC, LPDDR6 y UFS 5.0, el Snapdragon 8 Elite Gen 6 promete más rendimiento y eficiencia para IA. Lanzamiento previsto a finales de 2026.
© D. Novikov
Han surgido nuevos detalles sobre el próximo procesador insignia de Qualcomm, el Snapdragon 8 Elite Gen 6. Se rumorea que estará fabricado en 2 nm y que admitirá memoria LPDDR6 junto con almacenamiento UFS 5.0, un conjunto que apunta a elevar tanto el rendimiento como la eficiencia energética, dos pilares que pesan más que nunca para la siguiente oleada de funciones de IA.
Gracias a estas mejoras de memoria y almacenamiento, la plataforma llegaría mejor preparada para cargas de trabajo de inteligencia artificial. LPDDR6 aportaría un ancho de banda todavía mayor, mientras que UFS 5.0 promete accesos y escrituras más veloces, ayudando a los dispositivos a superar cómputos exigentes con menos fricción. La dirección es clara: experiencias de IA en el propio dispositivo más ágiles y constantes.
Según el informante Digital Chat Station, Qualcomm planea fabricar el chip con el proceso N2P de 2 nm de TSMC. Este nodo podría aumentar el rendimiento alrededor de un 18% o recortar el consumo de energía en aproximadamente un 36% frente a la generación de 3 nm. Al mismo tiempo, parte de la comunidad de expertos considera que Qualcomm quizá no consiga adoptar el nuevo nodo antes de 2026, un calendario que encaja con el paso medido con el que la industria suele abordar estas transiciones.
Los analistas también esperan que el salto a un proceso más avanzado y la adopción de estándares de memoria de última hornada eleven los costes de producción. De confirmarse, los próximos smartphones de gama alta podrían encarecerse, con los modelos más premium notando primero el impacto.
Previsto para finales de 2026, el Snapdragon 8 Elite Gen 6 se perfila para convertirse en una de las piezas clave de la era de la IA móvil.