Samsungin Exynos 2700: tekoälyä ja 2 nm GAA-tekniikkaa
Samsungin Exynos 2700 -piiri hyödyntää 2 nm GAA-prosessia tuoden tekoälytehoa ja energiansäästöä Galaxy S27:lle. Se vähentää riippuvuutta Qualcommista.
Samsungin Exynos 2700 -piiri hyödyntää 2 nm GAA-prosessia tuoden tekoälytehoa ja energiansäästöä Galaxy S27:lle. Se vähentää riippuvuutta Qualcommista.
© D. Novikov
Samsung Electronics kertoi vuoden 2026 ensimmäisen neljänneksen tulosjulkistuksessa ensi kertaa tulevasta lippulaivapiiristään Exynos 2700:sta. Yhtiö vahvisti, että kehitteillä oleva prosessori seuraa Exynos 2600:ta ja laajentaa yhtiön 2 nm:n GAA-pohjaisten piirien valikoimaa.
Uudessa piirissä panostetaan voimakkaasti tekoälysuorituskykyyn. Samsungin mukaan parannellut tekoälyominaisuudet auttavat kasvattamaan markkinaosuutta ja kilpailemaan aiempaa hanakammin lippulaivamallien mobiiliprosessorimarkkinoilla. Exynos 2700 on myös keskeinen osa Samsungin pyrkimystä vähentää riippuvuuttaan Qualcommin Snapdragon-piireistä.
Piiri tulee todennäköisesti hyödyntämään Samsungin toisen sukupolven 2 nm:n GAA-prosessia ja se perustuu 10-ytimiseen ARM-arkkitehtuuriin. Sisäisten testien ja vuototietojen perusteella kehitystyössä keskitytään erityisesti energiatehokkuuden ja suorituskyvyn parantamiseen verrattuna Exynos 2600:aan. Edeltäjämalli sai arvostelua suuresta virrankulutuksestaan – joissain tilanteissa piiri saattoi kuluttaa jopa 30 W, mikä johti ylikuumenemiseen ja suorituskyvyn rajoittamiseen. Siksi tehoprofiilin optimointi on Exynos 2700:n kehityksen kärkitavoitteita.
Samsung valmistautuu Galaxy S27 -sarjaan ja pyrkii kasvattamaan omien piiriensä osuutta älypuhelimissaan. Kilpailu kuitenkin kovenee: Qualcomm valmistelee omaa 2 nm:n Snapdragon 8 Elite Gen 6 -piirisarjaansa, mikä kiristää huippusegmentin taistelua entisestään.