Samsung réoriente sa stratégie mémoire vers la DRAM: hausse des DDR5, HBM au ralenti faute d’accord avec NVIDIA. Objectif: rentabilité et volumes accrus.
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Samsung reconfigure sa stratégie mémoire avec un cap assumé: la rentabilité. Le groupe accélère la production de DRAM classiques et met provisoirement en sourdine ses investissements dans la HBM. Avec des prix des modules DDR5 en hausse d’environ 60 % sur les deux derniers mois, le calendrier n’a rien d’anodin: viser là où la demande s’enflamme permet de regonfler rapidement les résultats.
Selon les médias sud-coréens, le plan consiste à accroître la production de DRAM de cinquième génération (1b) en convertissant d’anciennes lignes vers des nœuds de gravure plus récents et en réaffectant des capacités jusqu’ici dédiées à la NAND. Une manière de monter en volume plus vite, sans alourdir l’addition en dépenses d’investissement.
À l’inverse, l’activité HBM reste dans le rouge: les rendements des puces HBM4 sont faibles et l’absence d’un accord d’approvisionnement finalisé avec NVIDIA ralentit la progression. Samsung ne conservera pour l’an prochain que le plan de production HBM jugé minimal et ne voit pas, pour l’instant, dans cette catégorie un levier de rentabilité.
La direction a fixé un cap explicite pour l’année prochaine: la rentabilité maximale. Des sources internes indiquent que Han Jinman devrait prendre la tête de la division mémoire; spécialiste des stratégies de prix, il est attendu pour aiguiser l’avantage du groupe sur un marché de la DRAM en pleine accélération.