UAES, InnoScience et Naixinwei lancent un partenariat pour intégrer le GaN à l’électronique de puissance des VE, pour plus d’efficacité et de fiabilité.
© A. Krivonosov
Le 1er octobre, InnoScience, United Automotive Electronic Systems (UAES) et Naixinwei ont annoncé la signature d’un accord de coopération stratégique pour développer des produits innovants fondés sur le nitrure de gallium (GaN) destinés à la prochaine génération de véhicules électriques.
Concrètement, leur travail conjoint se concentrera sur l’intégration du GaN au cœur des systèmes d’électronique de puissance, avec pour objectif d’augmenter la densité énergétique, la fiabilité et l’efficacité. Face aux solutions traditionnelles en silicium, le GaN autorise des conceptions plus compactes et aide à réduire le poids comme la consommation d’énergie — des avantages particulièrement pertinents pour l’électrification et l’allègement des véhicules.
Ce partenariat agrège des forces complémentaires : UAES pour l’intégration des systèmes automobiles, Naixinwei pour la conception de puces analogiques et mixtes hautes performances, et InnoScience pour les composants de puissance en GaN. Pris dans son ensemble, l’accord s’apparente à un pari pragmatique visant à faire du GaN un maillon central de l’électronique de puissance des véhicules électriques. Les sociétés ambitionnent de mettre en place une plateforme d’innovation intersectorielle et d’accélérer le déploiement de nouvelles solutions en production, pour soutenir le développement durable et la montée en valeur du secteur des véhicules électriques.