Samsung semble préparer un bond technologique majeur pour son futur fleuron, le Galaxy S27 Ultra. Selon les dernières fuites, l'appareil pourrait figurer parmi les premiers smartphones à intégrer la mémoire RAM LPDDR6 de nouvelle génération, promettant ainsi une amélioration notable des performances.
Ce nouveau type de mémoire devrait offrir une bande passante plus élevée et une meilleure efficacité énergétique par rapport à la norme LPDDR5X actuelle. En pratique, cela pourrait se traduire par un multitâche plus fluide, un chargement plus rapide des applications et des performances améliorées pour les tâches gourmandes en ressources, comme les jeux mobiles et les fonctionnalités basées sur l'IA.
Le smartphone devrait être équipé du processeur Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro, une version plus puissante du nouveau puce haut de gamme de Qualcomm. Il pourrait intégrer un accélérateur graphique Adreno 850 amélioré avec 18 Mo de mémoire GMEM, tandis que la version standard du chipset utiliserait un Adreno 845 avec 12 Mo. Les deux variantes seraient fabriquées selon le procédé 2 nm de TSMC et adopteraient une configuration à cœur 2+3+3.
Malgré le développement en cours de ses propres puces Exynos 2700 et 2800, Samsung continuera probablement à s'appuyer sur les solutions Qualcomm pour le modèle Ultra dans la plupart des régions. Toutefois, l'adoption de ces nouvelles technologies pourrait impacter le prix de l'appareil, car la hausse des coûts de la mémoire et des composants exerce déjà une pression sur le marché.
Si ces informations s'avèrent exactes, le Galaxy S27 Ultra pourrait être l'un des premiers smartphones à passer entièrement à la nouvelle génération de matériel mobile, ce qui pourrait orienter l'ensemble de l'industrie dans les années à venir.