Samsung développe une technologie de lithographie à 1 nm avec la méthode 'fourche' pour densifier les transistors, visant à améliorer l'efficacité énergétique des processeurs mobiles.
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Samsung progresse dans la technologie de lithographie, avec l'objectif de lancer un procédé à 1 nanomètre d'ici 2031, qualifié de « semi-conducteur de rêve ». Les efforts de recherche et développement sont en cours et devraient s'achever vers 2030. Cette nouvelle technologie permettra de densifier les transistors dans une même surface grâce à une méthode de « fourche » qui ajoute une barrière non conductrice entre les éléments GAA.
Les procédés actuels à 2 nm de Samsung utilisent la technologie Gate-All-Around (GAA), qui améliore l'efficacité énergétique en passant les canaux de trois à quatre voies. Au nœud 1 nm, utiliser le GAA sans modification serait moins efficace. L'entreprise met donc en œuvre un schéma de branchement avec la « fourche » pour maximiser la densité de transistors. En pratique, cela s'apparente à une densification architecturale dans le bâtiment : l'espace libre est réduit et de nouvelles structures l'occupent pour accueillir plus de composants.
Précédemment, Samsung avait planifié un procédé à 1,4 nm, mais sa sortie a été reportée à 2028, probablement pour se concentrer sur l'avancée des technologies à 2 nm. La technologie « fourche » pourrait résoudre des difficultés de production antérieures, mais l'efficacité et l'évolutivité finales du procédé à 1 nm ne seront claires qu'au lancement de la production de masse.
Par ailleurs, Samsung continue de s'attaquer aux problèmes d'efficacité énergétique de ses SoC, comme l'Exynos 2600. Ce dernier consomme jusqu'à 30 W lors des tests Geekbench 6, ce qui réduit l'autonomie des appareils par rapport aux concurrents utilisant Snapdragon. Le passage aux procédés à 2 nm améliorés et, à terme, le lancement de la technologie à 1 nm devraient aider à corriger ces lacunes et préparer le terrain pour les futurs processeurs mobiles.