Suite à la publication de ses résultats du premier trimestre 2026, Samsung Electronics met l'accent sur son activité mémoire, en dévoilant de nouvelles orientations stratégiques. Le point le plus notable : l'entreprise s'apprête à tester la mémoire HBM4E de nouvelle génération dès le deuxième trimestre. Une étape cruciale pour l'avancée de l'IA et du calcul haute performance.
Parallèlement, le marché des DRAM flambe : les prix moyens ont bondi de plus de 90 % sur un an, et la NAND flash suit une trajectoire similaire. Cette envolée traduit une concurrence féroce pour les capacités de production, alors que les grands acteurs investissent lourdement dans les infrastructures d'IA et sécurisent leurs approvisionnements bien à l'avance.
Samsung prévoit de tripler ses ventes de mémoire HBM en 2026, et d'ici le troisième trimestre, plus de la moitié des revenus de ce segment devraient provenir de la nouvelle génération HBM4. Une dynamique qui souligne une transition plus large vers des solutions conçues pour le traitement massif de données et l'apprentissage automatique.
L'entreprise renforce aussi son outil industriel. Au second semestre, on attend l'arrivée d'un procédé 2 nanomètres de deuxième génération pour les appareils mobiles, ainsi que la poursuite du développement des technologies 4 nm, y compris pour des puces IA dédiées. Aux États-Unis, le projet Taylor monte en puissance, avec une usine en cours de montée en cadence pour viser une production de masse en 2027.
Samsung investit également dans les produits haut de gamme et les nouvelles technologies d'affichage, comme la production en volume de dalles OLED IT de 8,6e génération. Dans un contexte de hausse des prix des composants et de concurrence accrue, la stratégie mise sur l'avance technologique et les économies d'échelle pour consolider sa position sur le marché.