Samsung Electronics aurait développé un prototype de V-NAND à 900 couches, une mémoire flash verticale de nouvelle génération, selon l'initié Ice Universe et des médias du secteur. Si cette information est officiellement confirmée, cela représenterait une étape importante vers le cap des 1 000 couches, longtemps considéré comme un objectif clé pour l'industrie de la mémoire NAND.
Contrairement à un simple empilement de couches sur une seule puce, le prototype assemblerait deux blocs de 450 couches via la technologie CMB (Cell-on-Cell, liaison multicouche). En procédant ainsi, on augmente le nombre de couches et la densité de stockage, tout en évitant certains des défis technologiques que pose l'empilement vertical de la NAND.
Cette démonstration revêt une importance particulière pour Samsung, alors que la demande de stockage explose dans les serveurs, l'infrastructure IA, les PC et les mobiles. La société produit déjà de la V-NAND de neuvième génération : en 2024, elle a annoncé la production en série de V-NAND TLC d'1 térabit, puis de V-NAND QLC de neuvième génération pour les applications d'IA.
Le prototype de 900 couches ne présage pas d'une arrivée imminente dans les SSD grand public. Du laboratoire à la production de masse, de nombreux défis demeurent : rendement, coût, fiabilité, consommation et compatibilité avec les futurs contrôleurs. La validation réussie de cette structure montre néanmoins que Samsung continue à viser des capacités bien plus élevées, sans augmenter la taille de la puce dans les mêmes proportions.
Si la technologie parvient en production de masse, elle pourrait donner naissance à des SSD de capacité bien plus élevée, depuis les disques grand public jusqu'aux solutions professionnelles pour data centers. Face à la concurrence de SK hynix, Micron, YMTC et autres, il est essentiel pour Samsung non seulement de conserver sa place de leader en NAND, mais aussi de prouver qu'il peut être le premier à s'approcher de la prochaine génération de mémoire flash ultra-dense.