Samsung a dévoilé plusieurs technologies de mémoire et de stockage de nouvelle génération lors du salon Future of Memory and Storage à Santa Clara. La plupart visent les centres de données, les accélérateurs d’intelligence artificielle et les systèmes d’edge computing.
Parmi les principales nouveautés figure le concept zHBM. Dans cette architecture, la mémoire HBM est placée directement au-dessus de l’accélérateur d’IA, et non à côté. Selon Samsung, cette disposition pourrait offrir des performances jusqu’à huit fois supérieures à celles des conceptions classiques. La fabrication doit s’appuyer sur une nouvelle génération de liaison de wafers. Elle promet plus de dix fois la densité mémoire de la HBM5 tout en triplant l’efficacité énergétique.
Samsung a également présenté la V10 BV-NAND, un nouveau type de mémoire flash verticale destiné aux SSD, cartes mémoire et autres dispositifs de stockage. L’architecture Bonding V-NAND permet d’assembler plus de 400 couches de cellules, avec une densité supérieure d’environ 58 % à celle de la génération V9. Le fabricant annonce aussi des gains en lecture, en écriture et en entrées-sorties.
Autre nouveauté, zNAND-O combine une utilisation efficace de l’espace, une faible latence et de meilleures performances d’entrées-sorties. Cette solution cible avant tout les systèmes d’IA en périphérie.
Le groupe a enfin montré LPDDR5X-PIM, sa première mémoire LPDDR5X intégrant le traitement des données. Une partie des calculs peut être effectuée directement dans la mémoire, ce qui réduit les transferts entre composants et améliore l’efficacité globale du système.