Samsung ने High Bandwidth Flash की शुरुआत की: एआई डेटा सेंटर स्टोरेज की नई दौड़
Samsung High Bandwidth Flash (HBF) पर काम कर रही है: एआई डेटा सेंटर के लिए तेज, उच्च थ्रूपुट स्टोरेज. Z‑NAND अनुभव और प्रतिस्पर्धी दृष्टिकोणों पर फोकस और मानक पहलू
Samsung High Bandwidth Flash (HBF) पर काम कर रही है: एआई डेटा सेंटर के लिए तेज, उच्च थ्रूपुट स्टोरेज. Z‑NAND अनुभव और प्रतिस्पर्धी दृष्टिकोणों पर फोकस और मानक पहलू
© A. Krivonosov
दक्षिण कोरियाई प्रकाशन fnnews के अनुसार, Samsung Electronics ने High Bandwidth Flash (HBF) का प्रारंभिक विकास शुरू कर दिया है—यह उच्च‑गति फ्लैश मेमोरी की नई श्रेणी है, जिसे डेटा सेंटर और कृत्रिम बुद्धिमत्ता प्रणालियों के लिए लक्षित किया गया है। कंपनी अब अवधारणात्मक डिजाइन और प्रारंभिक अनुसंधान चरण में है; सटीक स्पेसिफिकेशन और लॉन्च समयसीमा फिलहाल तय नहीं हैं।
उद्योग में HBF के दो दृष्टिकोण आकार ले रहे हैं। पहला, तथाकथित “HBM का NAND संस्करण”, जिसे सबसे पहले SanDisk ने प्रस्तावित किया था और SK Hynix इसका समर्थन कर रहा है। दूसरा Kioxia का है, जिसे पहले PCIe डिवाइस के रूप में प्रदर्शित किया गया था—मल्टी‑टेराबाइट क्षमता और उच्च थ्रूपुट के साथ। यह दोहरा परिदृश्य Samsung के सामने रणनीतिक चुनाव छोड़ता है, और फिलहाल स्पष्ट नहीं है कि वह किस राह पर चलेगी।
आधुनिक एआई के पैमाने पर, पारंपरिक NAND‑आधारित SSD धीरे‑धीरे बाधा बन रहे हैं: भारी वर्कलोड के तहत वे विशाल डेटा वॉल्यूम के साथ तालमेल बिठाने में संघर्ष करते हैं। इसके जवाब में, विक्रेता NAND और DRAM के बीच मध्य स्तर खोज रहे हैं। Samsung की अपनी Z‑NAND MLS/SLM परत पर उपयोगी साबित हो सकती है, गति और विश्वसनीयता के बीच संतुलन साधते हुए।
इसी पृष्ठभूमि में, HBF स्टोरेज बाजार का अगला गर्म मोर्चा बनकर उभर रहा है, और अग्रणी मेमोरी निर्माता इंफ्रास्ट्रक्चर मांग के चरम पर पहुंचने से पहले अपनी स्थिति सुरक्षित करने की कोशिश में हैं। दिशा साफ दिखती है: जो भी खिलाड़ी पहले एक भरोसेमंद एंड‑टू‑एंड स्टैक खड़ा करेगा, वही इस श्रेणी की परिपक्वता को आकार देगा।
मौजूद संकेत बताते हैं कि हाई‑बैंडविड्थ फ्लैश में कदम रखना Samsung को एआई इंफ्रास्ट्रक्चर में ठोस बढ़त दे सकता है। कंपनी के पास Z‑NAND, संपूर्ण मेमोरी निर्माण और पैकेजिंग चेन, और एआई‑सर्वर इकोसिस्टम में मजबूत पकड़ जैसे बिल्डिंग ब्लॉक्स पहले से हैं—ऐसे फायदे जो तेजी से अनुकूलन और एकीकृत डेटा‑सेंटर उत्पाद देने को आसान बनाते हैं।
फिर भी जोखिम स्पष्ट हैं। लेटेंसी और विश्वसनीयता में फ्लैश अब भी DRAM से पीछे है; बाजार को मानकीकरण और व्यापक इकोसिस्टम समर्थन की जरूरत पड़ेगी; और SanDisk व SK Hynix जैसे प्रतिस्पर्धी अपनी डिजाइन को आगे बढ़ा रहे हैं। थर्मल सीमाएं और लागत अपनाने की रफ्तार को और धीमा कर सकती हैं। Samsung की सफलता आखिरकार इस पर टिकी होगी कि वह CXL मॉड्यूल से लेकर एआई‑SSD तक वैकल्पिक रास्तों से कितनी तेज निकल पाती है।