Samsung ने 1c DRAM आधारित HBM4 पर 50% यील्ड हासिल की और High-NA EUV के साथ HBM4/HBM4E उत्पादन तेज कर रहा है. SK hynix व NVIDIA Blackwell पर फोकस भी.
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TweakTown के मुताबिक, Samsung ने 1c DRAM आधारित HBM4 पर 50% यील्ड हासिल कर ली है और HBM4 व HBM4E के बड़े पैमाने के उत्पादन के लिए क्षमता तेजी से बढ़ा रहा है. सूत्र बताते हैं कि कंपनी ने ASML की नई High-NA EUV लिथोग्राफी प्रणालियों में से पांच खरीदी हैं: दो फाउंड्री बिज़नेस के लिए, और तीन केवल मेमोरी के लिए निर्धारित. यह विभाजन HBM पर केंद्रित रणनीति का साफ संकेत देता है.
उद्योग विशेषज्ञों का मानना है कि Samsung मूलतः एक समर्पित मेमोरी लाइन खड़ी कर रहा है—ऐसा कदम HBM4 के बड़े पैमाने पर उत्पादन को तेज कर सकता है और आगे के HBM4E व HBM5 के लिए आधार तैयार करेगा. फिलहाल, प्योंगटेक फैब की DRAM इकाई लगभग 3 लाख वेफ़र प्रति माह निकाल रही है और क्षमता अपनी सीमा के करीब है. अगर उत्तरी अमेरिका के प्रमुख क्लाइंटों से अतिरिक्त ऑर्डर आते हैं, तो कुछ नए उपकरण कंपनी के टेलर, टेक्सास प्लांट की ओर मोड़े जा सकते हैं—इससे रैंप-अप लचीला बना रहेगा. यह भी दर्शाता है कि कंपनी मांग के उतार-चढ़ाव के साथ उत्पादन तालमेल पर जोर दे रही है.
इधर, मुख्य प्रतिद्वंद्वी SK hynix फिलहाल बढ़त बनाए हुए है और NVIDIA के Blackwell GPU के लिए HBM3 और HBM3E की आपूर्ति कर रहा है. विश्लेषकों का कहना है कि HBM में Samsung का तेज निवेश उच्च-प्रदर्शन मेमोरी बाजार में प्रतिस्पर्धा को और गर्म करेगा, जिससे दौड़ और कड़ी होने की पूरी संभावना बनती है.