Samsung 1 nanométeres folyamatot tervez 2031-re, villás módszerrel növelve tranzisztorsűrűséget. Olvass tovább az energiahatékonyságról és Exynos chipről.
© RusPhotoBank
A Samsung továbbfejleszti a litográfiás technológiát, és 2031-re tervezi az 1 nanométeres folyamat bevezetését, amit „álomfélvezetőnek” neveznek. A kutatás-fejlesztési munkálatok jelenleg is zajlanak, és 2030-ra várhatóan befejeződnek. Ez az új technológia a „villás” módszer alkalmazásával teszi lehetővé, hogy több tranzisztort zsúfoljanak ugyanabba a területbe, ami egy nem vezető akadályt helyez el a GAA elemek között.
A Samsung jelenlegi 2 nanométeres folyamatai a Gate-All-Around (GAA) technológiát alkalmazzák, amely az energiahatékonyságot növeli azáltal, hogy a csatornákat háromról négy sávra bővíti. Az 1 nanométeres csomópontban a GAA módosítás nélküli használata kevésbé lenne hatékony, ezért a cég egy elágazó sémát alkalmaz a „villás” módszerrel, hogy maximalizálja a tranzisztorsűrűséget. Lényegében ez hasonlít az épületekben történő építészeti sűrűsítéshez: a szabad terület csökken, és új struktúrák foglalják el azt, hogy több komponenst lehessen elhelyezni.
Korábban a Samsung egy 1,4 nanométeres folyamatot tervezett, de annak bevezetését 2028-ra halasztották, valószínűleg azért, hogy a 2 nanométeres technológiák fejlesztésére összpontosíthassanak. A „villás” technológia megoldhatja a korábbi gyártási kihívásokat, de az 1 nanométeres folyamat végső hatékonysága és skálázhatósága csak a tömeggyártás megkezdésével válik egyértelművé.
Ezen túlmenően a Samsung továbbra is foglalkozik az energiahatékonysági kérdésekkel az SoC-jainál, mint például az Exynos 2600-nál. Ez a chip például akár 30 W-ot is fogyaszthat a Geekbench 6 tesztek során, ami csökkenti az eszköz akkumulátorának élettartamát a Snapdragont használó versenytársakhoz képest. Az továbbfejlesztett 2 nanométeres folyamatokra való áttérés és végül az 1 nanométeres technológia bevezetése segíthet ezeknek a hiányosságoknak a megoldásában, és megalapozhatja a jövő mobilprocesszorait.