A Samsung megkezdte a High Bandwidth Flash (HBF) korai fejlesztését az MI‑adatközpontok számára. Összefoglaljuk a versengő irányokat, előnyöket és kockázatokat.
© A. Krivonosov
A dél-koreai fnnews szerint a Samsung Electronics megkezdte a High Bandwidth Flash (HBF) korai fejlesztését – egy új, nagy sebességű flashmemória-kategóriát, amely kifejezetten adatközpontokra és mesterségesintelligencia‑rendszerekre szabott. A vállalat a koncepcionális tervezés és az előzetes kutatás fázisába lépett, miközben a pontos specifikációk és az ütemterv még nyitott kérdés.
Az iparágban közben két HBF‑irány körvonalazódik. Az egyik a SanDisk által felvetett, SK Hynix által támogatott „HBM NAND‑változata”. A másik a Kioxia megoldása, amelyet korábban PCIe‑eszközként mutattak be, több terabájtos kapacitással és magas átviteli teljesítménnyel. Ez a kettős pálya stratégiai választás elé állítja a Samsungot, és egyelőre nem egyértelmű, melyik ösvényt követi majd.
A modern MI terhelése mellett a hagyományos, NAND‑alapú SSD‑k egyre kevésbé tartják a lépést: az óriási adatvolumeneknél nehezen hozzák a szükséges tempót. Válaszként a gyártók olyan közbülső rétegeket keresnek, amelyek a NAND és a DRAM közé ékelődnek. A Samsung saját Z‑NAND technológiája az MLS/SLM rétegben lehet hasznos, mert a sebesség és a megbízhatóság között próbál egyensúlyt teremteni.
Ebben a környezetben az HBF a tárpiac következő forró területévé lép elő: a vezető memóriagyártók igyekeznek pozíciót fogni, mielőtt az infrastruktúra‑igény tetőzik. A menetirány világosnak tűnik: aki először állít össze hiteles, végponttól végpontig terjedő stacket, az nagy eséllyel meghatározza, hogyan érik be ez a kategória.
A rendelkezésre álló részletek alapján a nagy sávszélességű flash felé tett lépés kézzelfogható előnyt hozhat a Samsungnak az MI‑infrastruktúrában. A cég kezében vannak a szükséges építőkockák – ilyen a Z‑NAND, a teljes memória‑gyártási és csomagolási lánc, valamint erős jelenlét az MI‑szerverek ökoszisztémáiban –, ami megkönnyíti a gyors alkalmazkodást és az integrált adatközponti termékek leszállítását. Mindez arra utal, hogy a gyors döntés és a jól időzített kivitelezés most különösen sokat érhet.
A kockázatok ugyanakkor világosak. A flash késleltetésben és megbízhatóságban még elmarad a DRAM‑tól; a piachoz szabványosításra és széles körű ökoszisztéma‑támogatásra lesz szükség; miközben a SanDisk és az SK Hynix a saját terveivel halad előre. A hőkorlátok és a költségek is lassíthatják a bevezetést. A Samsung sikere azon múlhat, hogy felül tudja‑e múlni az alternatív irányokat – a CXL‑moduloktól az AI‑SSD‑kig.