Scopri come Samsung sviluppa la tecnologia litografica a 1 nm entro il 2031, migliorando densità transistor e risolvendo problemi energetici per i futuri processori mobili.
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Samsung sta portando avanti la tecnologia litografica con l'obiettivo di introdurre un processo a 1 nanometro entro il 2031, definito il "semiconduttore dei sogni". Gli sforzi di ricerca e sviluppo sono attualmente in corso e dovrebbero concludersi entro il 2030. Questa nuova tecnologia consentirà di impacchettare più transistor nella stessa area attraverso un metodo "fork" che aggiunge una barriera non conduttiva tra gli elementi GAA.
I processi attuali a 2 nm di Samsung utilizzano la tecnologia Gate-All-Around (GAA), che migliora l'efficienza energetica espandendo i canali da tre a quattro corsie. Nel nodo a 1 nm, usare la GAA senza modifiche sarebbe meno efficace, quindi l'azienda sta implementando uno schema di ramificazione con il "fork" per massimizzare la densità dei transistor. In pratica, è simile alla densificazione architettonica negli edifici: lo spazio libero viene ridotto e nuove strutture lo occupano per accogliere più componenti.
In precedenza, Samsung aveva pianificato un processo a 1,4 nm, ma il suo lancio è stato posticipato al 2028, probabilmente per concentrarsi sull'avanzamento delle tecnologie a 2 nm. La tecnologia "fork" potrebbe risolvere alcune sfide produttive precedenti, ma l'efficienza finale e la scalabilità del processo a 1 nm diventeranno chiare solo con l'inizio della produzione di massa.
Oltre a ciò, Samsung continua ad affrontare problemi di efficienza energetica nei suoi SoC, come l'Exynos 2600. Ad esempio, questo chip consuma fino a 30 W durante i test Geekbench 6, il che riduce la durata della batteria del dispositivo rispetto ai concorrenti che utilizzano Snapdragon. Passare a processi a 2 nm migliorati e infine lanciare la tecnologia a 1 nm dovrebbe aiutare a risolvere queste carenze e preparare il terreno per i futuri processori mobili.