Samsung avvia lo sviluppo della High Bandwidth Flash (HBF): nuova memoria flash ad alta velocità per data center e AI, tra approcci NAND e soluzioni tipo PCIe.
© A. Krivonosov
Secondo il quotidiano sudcoreano fnnews, Samsung Electronics ha avviato le fasi iniziali di sviluppo della High Bandwidth Flash (HBF), una nuova classe di memoria flash ad alta velocità pensata per i data center e i sistemi di intelligenza artificiale. L’azienda è passata alla progettazione concettuale e alla ricerca preliminare; restano ancora indefiniti sia le specifiche esatte sia le tempistiche di lancio.
Nell’industria stanno prendendo forma due approcci all’HBF. Il primo è la cosiddetta versione NAND dell’HBM, proposta inizialmente da SanDisk e sostenuta da SK Hynix. Il secondo arriva da Kioxia, che in passato ha mostrato una soluzione come dispositivo PCIe con capacità multi‑terabyte e throughput elevato. Questo scenario a doppio binario impone a Samsung una scelta strategica: al momento non è chiaro quale strada imboccherà.
Alle scale dell’AI moderna, gli SSD basati su NAND diventano sempre più un collo di bottiglia: faticano a reggere volumi di dati enormi sotto carichi intensi. Per questo i fornitori stanno sondando strati intermedi tra NAND e DRAM. La Z‑NAND di Samsung potrebbe trovare spazio al livello MLS/SLM, cercando un equilibrio tra velocità e affidabilità.
In questo contesto, l’HBF si profila come il prossimo fronte caldo del mercato dello storage: i principali produttori di memoria puntano a rafforzare il proprio posizionamento prima che la domanda infrastrutturale raggiunga il picco. La direzione è piuttosto chiara: chi per primo metterà in campo una filiera completa e credibile influenzerà la maturazione dell’intera categoria.
Alla luce dei dettagli disponibili, entrare nella flash ad ampia banda potrebbe offrire a Samsung un vantaggio concreto nell’infrastruttura per l’AI. In casa ci sono già i tasselli chiave: Z‑NAND, una catena completa di produzione e packaging della memoria e una presenza solida negli ecosistemi dei server AI — leve che facilitano l’adattamento rapido e la consegna di prodotti per data center integrati.
Ci sono però rischi evidenti. La flash resta indietro rispetto alla DRAM per latenza e affidabilità; il mercato avrà bisogno di standard comuni e di un ampio sostegno dell’ecosistema; e concorrenti come SanDisk e SK Hynix avanzano con progetti propri. Vincoli termici e costi potrebbero rallentare ulteriormente l’adozione. Il successo di Samsung dipenderà dalla capacità di tenere il passo — e magari superare — le vie alternative, dai moduli CXL agli AI‑SSD.