InnoScience, UAES en Naixinwei brengen GaN naar vermogenselektronica voor EV's: hogere efficiëntie en energiedichtheid, versnelling van de EV-sector.
© A. Krivonosov
Op 1 oktober maakten InnoScience, United Automotive Electronic Systems (UAES) en Naixinwei bekend dat zij een strategische samenwerkingsovereenkomst hebben getekend om innovatieve producten op basis van galliumnitride (GaN) te ontwikkelen voor de volgende generatie elektrische auto's. Het is een stap die de ambities in e-mobiliteit merkbaar opschroeft.
De gezamenlijke ontwikkeling richt zich op de integratie van GaN in vermogenselektronica om de energiedichtheid, betrouwbaarheid en efficiëntie te vergroten. Vergeleken met traditionele siliciumoplossingen maakt GaN compactere ontwerpen mogelijk en helpt het gewicht en energieverbruik te beperken — voordelen die juist bij elektrificatie en gewichtsreductie van voertuigen zwaar meewegen.
De alliantie bundelt complementaire sterke punten: UAES is sterk in systeemintegratie voor de auto-industrie, Naixinwei in hoogpresterende analoge en mixed-signal-chipontwerpen, en InnoScience in GaN-vermogencomponenten. Alles bij elkaar oogt dit als een pragmatische inzet om GaN uit te bouwen tot een kernbouwsteen van de vermogenselektronica in elektrische auto’s. De bedrijven willen een innovatieplatform over sectoren heen opzetten en de uitrol van nieuwe oplossingen in de productie versnellen, ter ondersteuning van duurzame ontwikkeling en de groeiende waarde van de EV-sector.