Samsung ontwikkelt High Bandwidth Flash (HBF) voor AI-datacenters: snel flashgeheugen tussen NAND en DRAM. Strategie, Z‑NAND, concurrenten en risico’s.
© A. Krivonosov
Het Zuid-Koreaanse medium fnnews meldt dat Samsung Electronics is begonnen met de vroege ontwikkeling van High Bandwidth Flash (HBF), een nieuwe categorie snel flashgeheugen voor datacenters en AI-systemen. Het bedrijf is overgegaan tot conceptontwerp en vooronderzoek; concrete specificaties en een lanceerkalender zijn nog niet vastgesteld. Een vroege zet die suggereert dat de race rond AI-infrastructuur verder aantrekt.
In de sector tekenen zich twee sporen af. Het eerste is een NAND-variant op HBM, ooit geopperd door SanDisk en gesteund door SK Hynix. Het tweede komt van Kioxia en werd eerder getoond als een PCIe-apparaat met meerdere terabytes aan capaciteit en hoge doorvoer. Deze tweedeling dwingt Samsung tot een strategische keuze; vooralsnog is onduidelijk welke richting het bedrijf inslaat.
Op de schaal van moderne AI vormen conventionele, op NAND gebaseerde SSD’s steeds vaker een knelpunt: onder zware workloads is het lastig de enorme datavolumes bij te benen. Daarom verkennen leveranciers tussenniveaus tussen NAND en DRAM. Samsungs eigen Z‑NAND zou in de MLS/SLM‑laag van pas kunnen komen, met een evenwicht tussen snelheid en betrouwbaarheid.
Tegen deze achtergrond komt HBF naar voren als het volgende hete front in de opslagmarkt, terwijl toonaangevende geheugenmakers hun positie willen veiligstellen voordat de vraag naar infrastructuur piekt. De richting lijkt duidelijk: wie als eerste een geloofwaardige end‑to‑end‑stack neerzet, bepaalt hoe deze categorie volwassen wordt.
Afgaand op de beschikbare details kan de stap naar high‑bandwidth‑flash Samsung een reëel voordeel geven in AI‑infrastructuur. Het bedrijf heeft bouwstenen als Z‑NAND, een volledige productieketen voor geheugen en packaging, en een stevige positie in AI‑serverecosystemen — voordelen die het makkelijker maken om snel te schakelen en geïntegreerde datacenterproducten te leveren.
Er zijn echter duidelijke risico’s. Flash blijft achter bij DRAM als het gaat om latency en betrouwbaarheid; de markt zal standaardisatie en brede ecosysteemsteun nodig hebben; en concurrenten als SanDisk en SK Hynix werken aan eigen ontwerpen. Thermische beperkingen en kosten kunnen de adoptie verder vertragen. Het succes van Samsung hangt af van de vraag of het alternatieve routes, van CXL‑modules tot AI‑SSD’s, kan aftroeven.